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二维共轭聚合物(2DCPs)是一类新型的半导体材料体系,其独特的拓展二维共轭结构,预示其优异的光电特性,在有机电子学领域具有重要应用前景。然而,目前报道的大多数2DCPs材料的光电性能仍然相对较差,同时具有强荧光特性的二维共轭聚合物半导体方面的研究报道很少。造成该类材料荧光猝灭的原因是2DCPs体系中紧密的层间π-π堆叠使其能量耗散严重,导致其往往不发光或者荧光特性差。
用分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上生长得到高质量MgxZn1-xO薄膜。X射线衍射显示,当Mg摩尔分数在0~32.7%范围内时,薄膜保持六方结构,(002)衍射峰半高宽为0.08°~0.12°,薄膜结晶质量与现 有报道的最高水平相当。随着薄膜中Mg含量的增加,紫外发光峰由378 nm蓝移至303 nm。对Mg0.108Zn0.892O 薄膜变温光致发光光谱的研究发现,束缚激子发光随温度变化存在两个...
介绍了偏振差分反射光谱的原理,并结合半导体材料平面内光学各向异性的来源,总结了偏振差分反射光谱作为一种重要的表面、界面分析技术在半导体材料研究中的应用,并分析指出其在Si基材料电光改性研究中将会起到重要作用。
用高能(500MeV)Ne离子束对GaAs和InP进行了辐照,用MonteCarlo模拟、正电子湮没谱学以及红外光谱研究了辐照产生的缺陷特性.结果表明,在未辐照的样品中存在单空位,经辐照后,可在样品中产生单空位;当剂量较大时,还会形成双空位甚至尺寸较大的空洞.红外光谱测量发现,在辐照后的GaAs样品中有非晶区形成.此外,辐照在样品中还产生了反位缺陷GaAs和InP以及受主杂质ZnIn.对经1014...

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