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由中国有色金属学会半导体材料学术委员会和中国电子学会电子材料分会共同主办，中国科学院红外成像材料与器件重点实验室和中国科学院上海技术物理研究所承办的“第十一届全国分子束外延学术会议”于2015年8月25-28日在四川省成都市举行。来自全国各地及海外49个单位的分子束外延及相关领域的专家、学者近260人汇聚一堂，共同探讨中国分子束外延科学和技术的发展。
采用分子束外延设备在不同晶面蓝宝石衬底上(c面,a面,r面)生长BeZnO薄膜。使用复合缓冲层生长得到了高质量的BeZnO薄膜,X射线衍射半高宽达到600 arcsec。在c面与a面蓝宝石衬底上生长得到了极性BeZnO薄膜,在r面蓝宝石上生长得到了非极性BeZnO薄膜。共振拉曼光谱测试结果表明薄膜中的Be含量在同一水平。相对于c面与a面蓝宝石上的极性BeZnO薄膜,生长在r面蓝宝石衬底上的非极性B...
采用分子束外延技术在(001)取向的InP衬底上外延生长了亚稳态的ZnxCd1-xSe/MgSe低维量子阱结构,并通过光致发光和子带吸收方法,分析其能带结构。在单量子阱样品制备过程中,高能电子衍射强度振荡表明MgSe可以实现二维生长模式,衍射图样证明其为亚稳态闪锌矿结构。通过引入厚的ZnxCd1-xSe空间层,抑制了MgSe垒层的相变,并能进一步提高样品的结晶质量,得到高结晶质量的多量子阱结构。通...
近日，我所陈平平博士提出的“InN-基全太阳光谱光伏材料的分子束外延生长和物性研究”获得2004年上海市光科技计划资助。InN及InGaN(富In)半导体是当今半导体领域研究热点,由于该材料体系很难生长，一直来对于其基本的物理性质如缺少认识。最近的研究表明该InGaN材料体系能带从0.7到3.4eV连续可调，为全太阳光谱光伏材料体系，理论研究表明由该材料制备的太阳能电池效率高于50%（高于目前所有...
四探针扫描隧道显微镜－分子束外延联合系统研制成功
分子束 四探针扫描隧道显微镜 纳米体系 电子结构 氧化锌纳米线
2006/8/21
中国科学院物理所2006年8月18日报道 物理所高鸿钧研究员领导的小组自行设计与研制了可原位生长、构造和研究介观体系的电、光、力学特性的分子束外延-四探针扫描隧道显微镜（MBE-4P-STM）联合系统，在国际上独具特色。该系统可在超高真空环境下制备与构造纳米体系，可用扫描隧道显微镜对其表面电子结构进行表征，用四探针方法研究电子输运性质，同时可研究纳米结构的光学特性，为系统地研究介观小尺度体系的物理...