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中国科学院高能物理研究所专利： 正电子湮没多参数符合测量系统
中国科学院高能物理研究所 专利 正电子湮没 多参数 符合测量系统
2023/8/11
中国科学院高能物理研究所专利：正电子湮没多参数符合测量系统
中国科学院高能物理研究所专利：用于正电子湮没寿命谱仪的探测器
中国科学院高能物理研究所专利：正电子湮没多参数符合测量系统
纳米α-Fe2O3的制备及其正电子湮没谱学研究
氧化铁 X射线衍射谱 正电子湮没寿命谱
2018/9/30
对氧化铁颗粒进行了X射线衍射谱(XRD)测量和正电子湮没寿命谱(PALS)测量,分别运用Jade和Lifetime软件拟合数据,研究了纳米氧化铁颗粒的结构、缺陷以及自由电子密度.XRD测量结果表明了氧化铁是简单六方晶系,空间群是R-3c(167),其相应的点阵常数分别是三个基矢的长度a=b=0.530 42 nm,c=1.374 60 nm.PALS测量结果表明了正电子在氧化铁材料中的寿命成分有三...
多指数曲线拟合分析正电子湮没寿命谱的方法
多指数曲线 正电子 寿命谱
2009/12/8
通过非晶态金属等样品e+湮没寿命谱的分析, 研究了分析中的几个实际问题. 包括拟合起点的选择, 各寿命组份的相对强度归一化和寿命谱尾部实验点的影响等. 建立了实际可行的二组份拟合计算程序.
GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究
正电子湮没 长缺陷 GaAs晶体
2009/8/17
本文介绍用正电子湮没寿命和多普勒加宽技术研究750—950°掺Te液相外延生长的和1238℃熔体生长的GaAs晶体生长缺陷. 在800—1238℃生长的晶体中都观测到312±11ps的寿命组分τ2, 其强度I2, 多普勒加宽S参加和按捕获模型计算的平均寿命τ都随晶体生长温度增高而增大. 在掺Te外延晶体中, 312ps寿命的正电子陷阱浓度随晶体生长温度增高而线性地增大, 在熔体生长晶体中, 该陷阱...
非晶合金正电子湮没寿命谱参数微小变化的精确测定
寿命谱 正电子湮没 非晶合金
2009/8/12
本文以测定非晶态材料退火后正电子寿命的变化为例, 描述精确测定正电子湮没寿命谱参数微小变化的方法. 通过模拟计算所得理想差分分布与测量的差分分布相比较, 肯定金属玻璃Fe67Co18Si1B14在200℃、300℃和375℃退火两小时后, 正电子平均寿命相对于原始态分别降低了0ps、4.0ps和4.3ps.
通过对YBa2－xSrxCu3Oy高温超导体系正电子湮没辐射一维角关联谱的测量,并结合超导临界温度TC、氧含量以及晶体结构的综合分析,发现:Sr的替代,使体系的正交化程度减弱,TC系统地下降,氧含量基本不变,也没有影响Cu-O链的电子结构,但却引起了Cu-O面电子结构的较大变化.据此,作者认为Cu-O面的局域电子结构是1:2:3相高温超导体中高温超导电性的决定因素.
掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究
正电子湮没 InP半导体 温度
2009/5/21
用正电子湮设方法研究了掺硫的InP载流于浓度(n)、迁移率和温度对空位浓度的影响,并讨论了它们对空位浓度影响的机理.探讨了空位类型.
高温超导体Y-Ba-Cu-O相变的正电子湮没研究
高温超导体 正电子湮没 Y-Ba-Cu-O相变
2009/5/21
在相变温度附近同时测量了电阻、正电子寿命谱和多普勒增宽能谱.发现在相变区域正电子的平均寿命τm、多普勒增宽线形参数H、S无规振荡,估计与晶格的稳定性有关,似乎支持以双极化子理论为主的超导机制.
用大体积BaF2 (φ40mm×30mm)探测器组装正电子湮没的2γ和3γ寿命谱仪,在2γ方式下,两个BaF2探测器构成双重符合,得到系统的时间分辨为FWHM=212ps,计数效率比塑料闪烁探测器组装的谱仪估计高10倍以上.在3γ方式下,NaI(Tl)探测器与两个BaF2构成三重符合,合理安排三探头的几何及合理选择各能窗的位置以优化对3γ湮没事例的测量,实验表明,新系统可用于研究强度微弱的电子偶素...
利用射频磁控溅射方法制备了低介电常数材料多孔非晶SiOx薄膜,溅射压强从1Pa—3Pa变化,傅立叶变换红外吸收光谱测行x的范围为1≤x≤1.6.同步辐射X射线反射(XRR)测量结果显示了随着溅射压强的增大,薄膜的孔隙率(体积比)从6%上升到24%,同时估计了薄膜的厚度.慢正电子湮没多普勒展宽测量探测了薄膜中的缺陷分布信息,结果显示随着溅射压强的增加,薄膜中的E'中心缺陷增加,其抑制了电子偶素的生成...
金属中晶界的原子密度分布与其正电子湮没寿命谱特征
原子密度 分布 正电子湮没 寿命谱
2009/5/21
在一简单晶界模型的基础之上,求解纯A1晶界的正电子捕获态和计算相应的寿命谱,由此讨论了晶界原子密度分布与寿命谱之间的关联,并尝试对已有的实验结果进行理论上的解释.