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用高能（５００ＭｅＶ）Ｎｅ离子束对ＧａＡｓ和ＩｎＰ进行了辐照，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟、正电子湮没谱学以及红外光谱研究了辐照产生的缺陷特性．结果表明，在未辐照的样品中存在单空位，经辐照后，可在样品中产生单空位；当剂量较大时，还会形成双空位甚至尺寸较大的空洞．红外光谱测量发现，在辐照后的ＧａＡｓ样品中有非晶区形成．此外，辐照在样品中还产生了反位缺陷ＧａＡｓ和ＩｎＰ以及受主杂质ＺｎＩｎ．对经１０１４...
