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一种制备钯合金膜的化学共沉积方法，是在化学镀金属钯的过程中将掺杂金属的络合物溶液添加到金属钯的镀液中，而不是在化学镀之前混合。本发明通过控制共沉积镀液中易于被优先还原的金属离子的浓度，从而实现钯和掺入金属同时且均匀地沉积的制备钯合金膜。利用本方法能够一次制备出致密且具有精确目标组成的钯合金膜，有效降低合金膜制备的劳动强度，显著地提高了钯银合金膜制备的成功率和重复率；该方法所得钯合金膜能够成数量级地...
本发明公开一种以离子液体为基底用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。在离子液体液面上热丝化学气相沉积制备硅薄膜，不同于传统的固体基底，液面上所合成的硅薄膜可转移，呈自支撑状态。进一步，本发明通过引入专门设计的刮刀对离子液体液面上生成的薄膜不断的刮取，可在一次实验中合成出多张厚度相近的硅纳米薄膜，有潜在的批量合成效果和实际应用价值。此外，所制备出的硅纳米薄膜采用了透析的方法去除离子液体，可实现对样品...
中国科学院金属研究所专利：一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 薄膜
2023/12/27
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用电弧离子镀沉积高质量 薄膜的装置,解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在,严重影响了涂层和薄膜的性 能和寿命等问题。本实用新型双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与 基体之间,与靶材和基体同轴放置,基体后放置增强磁场的发生装置。本实用新 型是在电弧离子镀沉积工艺中使用的简便装置,用以减少薄膜中大颗粒的含量, 提高薄膜的质量,达到制备高质量薄膜的要求。
中国科学院金属研究所专利：提高电弧离子镀沉积薄膜质量的装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 沉积 薄膜质量
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种提高电弧离子镀沉积薄膜质量的 装置,解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在,严重影响了涂层和薄膜的性能和寿 命等问题。本发明采用双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之 间,与靶材和基体同轴放置,基体后放置增强磁场的发生装置。本发明是在电弧 离子镀沉积工艺中使用的简便装置,用以减少薄膜中大颗粒的含量,降低薄膜表 面的粗糙度,提高薄膜的性能和寿命,达到制备高...
中国科学院金属研究所专利：一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺
中国科学院金属研究所 专利 磁场增强 电弧离子镀 沉积工艺
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种磁场增强的电弧离子镀沉积工艺, 用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材大颗粒的发射,提高靶材刻蚀 均匀性。本发明电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套放置于靶材后 面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助 对基体进行沉积。本发明通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场,解决了 传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性,提...
中国科学院金属研究所专利：柔性碳纳米管透明导电薄膜材料的制备方法和电沉积装置
中国科学院金属研究所 专利 柔性碳纳米管 透明导电 薄膜材料 电沉积
2023/11/17
本发明涉及一种柔性碳纳米管透明导电薄膜材料的制备方法和电沉积装置, 适用于制备均匀且具有较高透明导电性的柔性透明导电薄膜。将碳纳米管利用阴 离子型表面活性剂在超声波作用下分散在水溶液中,离心后取上清液作为镀液, 用氨水调节镀液为碱性；采用电沉积的方法将分散在镀液中的碳纳米管均匀的沉 积在抛光的不锈钢电极表面上,得到膜厚在20～200nm的均匀碳纳米管薄膜；将 碳管薄膜转移到柔性的透明聚合物基片表面...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置及其工作方法
中国科学院金属研究所专利：一种多层薄膜的沉积装置
中国科学院金属研究所 专利 多层薄膜 沉积装置
2023/11/10
本实用新型属于金属材料表面沉积超硬多层涂层技术领域,具体为一种钛/氮化钛多层薄膜的沉积装置。它是在同一个真空室中,通过交替通入不同气体,开启电弧蒸发源沉积超硬多层薄膜,可以实现多层薄膜厚度的精确控制。在该沉积装置通入氩气和氮气的管路上接有气体质量流量控制器、时间继电器和气体质量流量显示仪,气体质量流量控制器连接时间继电器,时间继电器连接气体质量流量显示仪。本实用新型解决了电弧离子镀沉积多层薄膜时采...
中国科学院金属研究所专利：一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置及方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面沉积 薄膜
2023/10/18
本发明涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术,具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置及方法,一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题,实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室,工件转架置于磁控溅射真空室中,靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中,中频脉冲磁控溅射电源的阴极与...
中国科学院金属研究所专利：一种微晶硅薄膜的沉积方法
中国科学院金属研究所 专利 微晶硅 薄膜 沉积方法
2023/10/17
本发明属于半导体材料领域,是一种微晶硅薄膜的制备方法。具体是在玻璃基板上沉积的非晶硅薄膜表面采用激光表面晶化的方法制备一薄层微晶硅层的方法。将直接沉积在玻璃板上的非晶硅薄膜,用激光加热晶化的方法使非晶硅薄膜部分转化为微晶硅；所用的激光加热晶化的方法是将非晶硅薄膜样品置于激光器的样品台上,用激光束进行照射,非晶硅薄膜吸收了激光的能量转换为自身能量,发生局部熔化再结晶,经表面晶化处理使得非晶硅转变为微...
本发明属于薄膜制备领域,具体地说是一种用于电弧离子镀沉积磁性材料涂层的复合结构靶材的设计及其应用。复合结构靶材为靶壳及磁性材料靶材构成,靶壳紧固于磁性材料靶材外围；其中,靶壳为低饱和蒸气压和低二次电子发射产额的金属靶壳；或者,靶壳为陶瓷相材料层依附于可加工金属环上形成的靶壳,可加工金属环紧固于磁性材料靶材外围,陶瓷相材料层依附于可加工金属环在与磁性材料靶材的靶面平行方向的面上。本发明解决了电弧离子...
中国科学院金属研究所专利：一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面沉积薄膜
2023/9/28
本实用新型涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术,具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置,一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题,实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室,工件转架置于磁控溅射真空室中,靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中,中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶...
本发明属于薄膜制备领域,具体地说是一种在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法,解决了在纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的问题。该装置由两组四面矩形或正方形非平衡态磁控靶材和两个相同的带孔遮蔽板组成的真空封闭长方体或立方体连接两个张力可控的卷绕工件转架于内的真空腔体组成。非平衡态磁控溅射靶由中频脉冲/直流电源驱动,并在封闭的长方体或立方体内产生高密度等离子体,连续纤维丝/条带...
中国科学院金属研究所专利：用等离子体增强化学气相沉积在长管内表面沉积薄膜方法