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中国科学院合肥物质科学研究院专利:超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 超高真空 磁控溅射 矩形平面 溅射靶
2023/11/22
中国科学院金属研究所专利:一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置
中国科学院金属研究所 专利 中频磁控 溅射法 纳米硅薄膜
2023/9/15
采用磁控溅射法,在衬底温度300 ℃制备CdS薄膜,并选取370 ℃、380 ℃、390℃三个温度退火,获得在干燥空气和CdCl2源+干燥空气两种气氛下退火的CdS薄膜.通过研究热处理前后CdS薄膜的形貌、结构和光学性能表明,CdS薄膜在干燥空气中退火,晶粒度、表面粗糙度和可见光透过率变化不明显,光学带隙随退火温度的升高而增大; 在CdCl2源+干燥空气中退火,随退火温度的升高发生明显的再结晶和晶...
用磁控溅射法制备的CdS薄膜的光电特性
CdS膜 磁控溅射 退火 光电特性
2014/4/22
本文研究了采用磁控溅射方法制备的CdS薄膜的工艺及光电性质,在200℃、300℃、400℃、500℃下分别进行50min的退火处理,SEM扫描发现退火处理后的CdS薄膜成膜质量更好。通过SEM测得CdS薄膜厚度为10μm,计算出CdS薄膜的溅射速率为7.5μm/h。通过探针I-V测试表明,400℃退火处理下,CdS薄膜的光电导特性最为优异,光电流与暗电流之比可达2134.8。
溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响
溅射功率 Ge2Sb2Te5薄膜 光学常数
2007/10/26
文章摘要:
研究了溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数与波长关系的影响,结果表明, 在波长小于500nm的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率n先增加然后减小,消光系数k则逐渐减小; 在波长大于500nm的情况下,随溅射功率的增加折射率n逐渐减少, 消光系数$k$先减小后增加.对于晶态薄膜样品, 在整个波长范围折射率n随溅射功率的增加先减小后增加...
离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜
ZnO:Zn 荧光薄膜 热处理 光致发光
2007/10/26
文章摘要:
用离子束溅射法制备了用于场发射显示器(FED)的ZnO:Zn荧光薄膜.采用RBS、XRD、AFM、Hall和PL谱等手段表征了热处理前后的薄膜.RBS结果表明薄膜中存在一定数量的过量Zn.沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相, 其表面形貌表现出多种结构.Hall检测发现, 升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度,说明过量Zn含量的下降; 当热处...