搜索结果: 1-10 共查到“工程与技术科学基础学科 电弧离子镀”相关记录10条 . 查询时间(0.116 秒)
中国科学院金属研究所专利：一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 薄膜
2023/12/27
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用电弧离子镀沉积高质量 薄膜的装置,解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在,严重影响了涂层和薄膜的性 能和寿命等问题。本实用新型双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与 基体之间,与靶材和基体同轴放置,基体后放置增强磁场的发生装置。本实用新 型是在电弧离子镀沉积工艺中使用的简便装置,用以减少薄膜中大颗粒的含量, 提高薄膜的质量,达到制备高质量薄膜的要求。
中国科学院金属研究所专利：一种动态受控电弧离子镀弧源
中国科学院金属研究所 专利 动态受控 电弧离子镀 弧源
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用动态磁场控制弧斑运动的电 弧离子镀弧源。所述动态受控电弧离子镀弧源设有动态控制磁场发生装置、靶材、 靶材底座,靶材安装于靶材底座上,动态控制磁场发生装置为主控磁场发生装置 和辅助磁场发生装置构成,主控磁场发生装置放置于靶材后面,和靶材同轴放置, 辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周围。本发明通过两组磁场发生装置配 合使用,在靶面上形成动态分布的拱形磁场,...
中国科学院金属研究所专利：提高电弧离子镀沉积薄膜质量的装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 沉积 薄膜质量
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种提高电弧离子镀沉积薄膜质量的 装置,解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在,严重影响了涂层和薄膜的性能和寿 命等问题。本发明采用双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之 间,与靶材和基体同轴放置,基体后放置增强磁场的发生装置。本发明是在电弧 离子镀沉积工艺中使用的简便装置,用以减少薄膜中大颗粒的含量,降低薄膜表 面的粗糙度,提高薄膜的性能和寿命,达到制备高...
中国科学院金属研究所专利：旋转磁控电弧离子镀弧源
中国科学院金属研究所 专利 旋转磁控 电弧离子镀 弧源
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的旋 转磁控电弧离子镀弧源。在靶材周围空间设有旋转磁场发生装置,旋转磁场发生 装置为采用相差一定均匀角度、相互连接在一起的几个磁极均匀布在同一圆周上, 磁极数量为4n或者3n,n≥1,形成一个整体的电磁回路骨架,励磁线圈套在磁 极上或者嵌在相邻磁极之间的槽隙内,采用相位差90°的两相或者相位差120° 的三相励磁顺序供电,在磁极包围的空...
中国科学院金属研究所专利：一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺
中国科学院金属研究所 专利 磁场增强 电弧离子镀 沉积工艺
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种磁场增强的电弧离子镀沉积工艺, 用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材大颗粒的发射,提高靶材刻蚀 均匀性。本发明电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套放置于靶材后 面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助 对基体进行沉积。本发明通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场,解决了 传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性,提...
中国科学院金属研究所专利： 一种用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置
中国科学院金属研究所 专利 非晶薄膜 电弧离子镀 冷却
2023/10/16
本实用新型属于薄膜制备领域,具体地说是一种用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置,包括冷凝剂输入管、冷凝剂输出管、法兰盘、绝缘垫圈及样品台,其中法兰盘通过绝缘垫圈密封安装在电弧离子镀炉体上,所述冷凝剂输入管及冷凝剂输出管的一端分别安装在法兰盘上,并由法兰盘穿出分别与外部流速可控的冷凝剂循环系统的进、出水口连接,冷凝剂输入管及冷凝剂输出管的另一端连接有样品台,该样品台及法兰盘以下的部分冷凝剂输入管和冷...
本发明属于薄膜制备领域,具体地说是一种用于电弧离子镀沉积磁性材料涂层的复合结构靶材的设计及其应用。复合结构靶材为靶壳及磁性材料靶材构成,靶壳紧固于磁性材料靶材外围；其中,靶壳为低饱和蒸气压和低二次电子发射产额的金属靶壳；或者,靶壳为陶瓷相材料层依附于可加工金属环上形成的靶壳,可加工金属环紧固于磁性材料靶材外围,陶瓷相材料层依附于可加工金属环在与磁性材料靶材的靶面平行方向的面上。本发明解决了电弧离子...
本发明属于薄膜制备领域,具体地说是一种用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置及其应用,冷却装置包括冷凝剂输入管、冷凝剂输出管、法兰盘、绝缘垫圈及样品台,其中法兰盘通过绝缘垫圈密封安装在电弧离子镀炉体上,所述冷凝剂输入管及冷凝剂输出管的一端分别安装在法兰盘上,并由法兰盘穿出分别与外部流速可控的冷凝剂循环系统的进、出水口连接,冷凝剂输入管及冷凝剂输出管的另一端连接有样品台,该样品台及法兰盘以下的部分冷凝...
偏压对阴极电弧离子镀AlN薄膜的影响
偏压 阴极电弧离子镀 物理气相沉积 AlN薄膜
2007/10/26
文章摘要：
在不同基体负偏压作用下, 用阴极电弧离子镀等离子体物理气相沉积(PVD)方法在单晶Si(100)基片上获得六方晶系的晶态AlN薄膜.用X射线衍射仪分析了沉积膜的物相组成和晶格位向随偏压的变化,在扫描电子显微镜(SEM)下观察沉积膜的显微组织形貌. 结果表明, 在较小偏压下,AlN膜呈(002)择优取向, 表面致密均匀; 在较大偏压下,AlN膜呈(...
电弧离子镀硬质梯度薄膜技术
2007/7/28
期刊信息
篇名
电弧离子镀硬质梯度薄膜技术
语种
中文
撰写或编译
作者
林国强
第一作者单位
刊物名称
真空科学与技术
页面
2002（3）P224~227
出版日期
2002年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
电孤离子镀（Ti,M〕N硬质薄膜与硬质梯度薄膜研究