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新型蒽衍生物蓝光材料的合成及光电性能研究
OLED 蓝光材料 蒽衍生物
2014/3/15
通过引入具有电子传输性能的噁二唑衍生物支链，采用Suzuki偶联反应，设计并合成了一种新型的蒽衍生物蓝光材料，同时研究了它的光学性能、热学性能、电化学性能以及成膜性。研究结果表明，该化合物在四氢呋喃溶液中发射蓝色荧光，最大发射波长为433 nm，其荧光量子效率为0.94，是9，10-二（β-萘基）蒽（ADN）的1.17倍。该化合物薄膜经过100 ℃高温烘烤3 h，依然保持连续、均一、平整的无定型结...
电化学法制备的还原氧化石墨烯薄膜及其光电性能研究
还原石墨烯薄膜 光电性能 还原程度 能带结构
2014/3/16
通过电化学方法在FTO导电玻璃上沉积了不同还原程度（C/O）的还原氧化石墨烯薄膜（rGO），其中rGO薄膜由未经处理的GO电解液制备，A-rGO由碱处理后的电解液制备，B-rGO由NaBH4处理后的电解液制备。利用XRD、XPS、SEM、UV-Vis对薄膜的化学结构和微观形貌进行了表征，并研究了薄膜在可见光照射下的光电性能。结果表明:在1.8 V下沉积的不同C/O比的rGO薄膜中，B-rGO薄膜的...
聚合网络的锚定作用对聚合物稳定胆甾相液晶光电性能的影响
聚合物稳定胆甾相液晶 光电性能 快速响应光阀 聚合时间
2014/3/18
采用紫外光聚合诱导相分离法(PIPS)制备了聚合物稳定胆甾相液晶,通过控制聚合时间,调节聚合物网络与液晶分子之间的相互作用,从而改善PSCT的光电性能。结果表明:延长聚合时间,提高反应程度,从而增强聚合物网络对液晶分子的锚定力,而对聚合物网络形貌的影响较小。在正模式聚合物稳定胆甾相液晶中,聚合物网络垂直于基板排列,有利于形成场致向列相,锚定作用强,阈值和饱和电压小,关态透过率高,对比度低,响应速度...
In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响
In含量 效率下降 数值模拟 InGaN/GaN发光二极管
2013/9/28
运用软件模拟和理论计算的方法分析了In含量对发光二极管光电性能的影响,研究了In含量与光谱功率密度、量子阱中载流子的浓度、辐射速率、发光功率等之间的关系。分析结果表明:电子泄漏与能带填充是影响光电性能的主要原因。当In含量较低时,随着电流密度增大(<8 kA/cm2),光谱发生蓝移程度相对较小,但电流密度太大(>8 kA/cm2)会造成电子泄漏,发光功率降低;而当In含量较高时,随着电流密度增大,...
在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂p型AlN晶体,通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂p型AlN晶体的结构、光学及电学性能进行了综合研究。通过XPS测试分析(尤其是对样品中Si 2p和C 1s的XPS谱分析)发现,样品中C替代N成为受主,而Si替代Al成为施主。样品的PL谱主要包括两个特征发射峰,分别来自于C、Si在AlN中形成的复合物VN-CN和CN...
聚合电场频率对聚合物稳定胆甾相液晶光电性能的影响
聚合物稳定胆甾相液晶 光电性能 快速响应光阀 聚合电场频率
2014/3/22
研究了聚合时外加电场对聚合物稳定胆甾相液晶(PSCT)光电性能的影响。采用紫外光聚合诱导相分离法(PIPS)制备了聚合物稳定胆甾相液晶,通过改变光聚合时的外加电场频率控制聚合物网络结构,改善PSCT的光电性能。结果表明:电场频率影响聚合单体的扩散,从而影响聚合物网络形貌。聚合电场频率低,聚合单体扩散快,形成的聚合网络疏松,网孔较大,响应速度慢,关态透过率大,阈值和饱和电压小;聚合电场频率高,阻碍单...
制备了一种具有高电阻率和稳定性的新型含氟手性液晶材料,并对其液晶性及螺距进行了检测。将其作为手性剂掺杂到TFT混合液晶中,考察了对液晶光电特性的影响规律,为制备高性能TFT液晶显示材料提供了参考。
Fe膜硫化合成FeS2薄膜的光电性能
2007/7/28
期刊信息
篇名
Fe膜硫化合成FeS2薄膜的光电性能
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
孟亮,黄伟,刘艳辉。
第一作者单位
浙江大学
刊物名称
太阳能学报
页面
2002, 23(3):308-312
出版日期
2002年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
Fe膜合成FeS2薄膜结晶过程中织构的诱导及其作用
FeS2薄膜光电性能研究进展
2007/7/28
期刊信息
篇名
FeS2薄膜光电性能研究进展
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
黄伟,孟亮
第一作者单位
浙江大学
刊物名称
太阳能学报
页面
2001，22(4):494-499
出版日期
2001年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
Fe膜合成FeS2薄膜结晶过程中织构的诱导及其作用