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王文堂,1980年10月生,河南临颍人,中共党员,硕士,副教授。
中国科学院合肥物质科学研究院专利:磁场下高温热处理装置及其制备铁酸铋薄膜的方法
本发明公开了一种用于碱金属样品池的金属与玻璃密封结构,包括一个带有楔形挡圈的金属管,一个玻璃窗口片,一个螺纹压圈。在常温常压下,通过螺纹压圈挤压玻璃窗口片,使其与金属管中楔形挡圈内边缘较薄部位紧密接触。在高温高压下,碱金属蒸汽与烷烃类缓冲气体膨胀,会向外挤压楔形挡圈,使其内边缘较薄部位产生形变,进一步增加与玻璃窗口片的接触面积和挤压力,从而表现出在高温高压下的良好密封特性,该密封结构允许样品池温度...
本实用新型涉及解锁技术,特别是一种非火工型解锁装置,解决现有技术存在的工作时冲击载荷较大、污染周围环境、一次性使用等问题。该装置设有套筒、记忆合金元件、偏置弹簧、滚珠、芯杆,套筒内装有可沿套筒内壁上下滑动的芯杆,芯杆顶部设有芯杆头,芯杆头伸至套筒的外侧,记忆合金元件于套筒的顶端与芯杆头卡接,芯杆的上部套装偏置弹簧于套筒和芯杆之间,芯杆的侧面开有芯杆凹槽,套筒侧面对称的开孔中装有滚珠,滚珠的外侧用于...
本发明涉及超高温陶瓷材料领域,具体为一种利用含锆有机物前驱体合成硼化锆ZrB2粉体材料的制备方法。采用含锆有机物前驱体、葡萄糖以及硼酸作为原料合成硼化锆陶瓷(ZrB2)粉体材料。首先,将含锆有机物前驱体、葡萄糖和硼酸按照一定比例在无水乙醇的水溶液中溶解并磁性搅拌均匀,然后将此均匀混合溶液在空气中烘干。接下来将烘干得到的粉末装入石墨模具中在通有保护气体气氛的管式炉中热解。最后将热解获得的粉末在真空炉...
中国科学院深圳先进技术研究院专利:透明导电薄膜及其制备方法;磁控溅射装置
本发明公开了一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法,属于硅薄膜的制备技术领域。该方法通过在化学气相沉积过程中使用热丝(HWCVD)等离子体(PECVD),和偏压结合分解反应气体沉积硅薄膜(简称结合方法(P-HWCVD)),通过对极板间距,射频功率,偏压,硅烷和氢气浓度等参数的调节实现对硅薄膜微结构、硅薄膜制备过程以及沉积速率的调控。同时,使用结合方法可以实现比单独使用上述单一一种气体分...
本发明公开了一种真空室气压调节器,具体的说是一种可以用于调控质谱仪真空室内气压的进样装置,该装置包括真空室、毛细管A、毛细管B、密封帽及密封垫、真空阀、分流腔体和真空泵;本发明的特点是通过调节真空阀,可以调控进入真空室的气体量,从而使真空室内气压可调,可以有效根据质谱仪工作需求调节质谱仪的进气量,同时可以有效减少更换毛细管过程中带来的拆卸质谱的麻烦。此外,可以通过调节真空阀使毛细管A的工作气压范围...
本发明涉及铸造高温合金整体精铸领域,具体为一种多功能真空离心振荡细晶熔铸炉,它是在真空下采用感应熔炼、浇注、旋转振荡、快速冷却凝固制备多种精密细晶铸件的熔铸设备,解决现有技术中存在的不能依靠动力学法制备大型复杂薄壁细晶铸件的难题。该熔铸炉设有真空系统、熔炼炉、保温炉、转动机构、水冷转盘、气冷环,熔炼炉位于保温炉的上方;壳型置于保温炉中的水冷转盘上,水冷转盘底部连接转动机构,水冷转盘下方设置气冷环,...
本发明涉及石墨烯的制备技术,具体为一种大尺寸单晶石墨烯及其连续薄膜的制备方法,适用于大尺寸单晶石墨烯及其连续薄膜的制备。采用化学气相沉积技术,以铜、铂等金属为生长基体,以碳氢化合物为碳源,在含有氢气的载气存在的情况下,先对金属基体进行热处理,然后利用碳源气体高温下在金属基体表面催化裂解,通过控制氢气、碳源浓度和生长温度,生长大尺寸单晶石墨烯,通过延长生长时间,制备由大尺寸单晶石墨烯晶粒拼接成的连续...
中国科学院合肥物质科学研究院专利:氮化钨基三元纳米复合超硬薄膜材料及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:钨掺杂二氧化钒纳米粉体及其制备方法
本发明涉及质谱分析仪器,具体的说是一种基于四极杆射频电场增强的真空紫外光电离和化学电离复合电离源,包括真空紫外光源和电离室腔体;在电离室内同轴,间隔设置有若干传输电极、四极杆和真空差分孔电极;远离紫外光入口的传输电极上贴有金属栅网,真空紫外光源发射的紫外光照射到金属栅网上,产生光电子;四极杆上施加有直流电压和射频电压。本发明的复合电离源在真空紫外光电离的基础上,利用光电效应产生的光电子电离试剂气体...
一种磷铝分子筛膜的合成方法,采用三电极体系或二电极体系,将基底和合成液置于反应瓶中,采用恒电位法或线性扫描法或脉冲电流法或恒电流法进行电化学合成反应,反应后取出基底,吹干,烘干。本发明合成方法简单、快速。采用本发明方法合成的分子筛膜致密性好,通过调节合成参数,如电压、电流、温度、合成液各组分的浓度等可以对分子筛膜进行可控合成。该分子筛膜合成方法重复性高,适于工业放大。
本发明涉及复合膜制备技术,更具体地说,是涉及一种电触点用Ag/Cr2O3复合膜及其制备和应用。复合膜由Ag基体和弥散其中的Cr2O3颗粒组成:按质量百分数计,Cr2O3颗粒含量为1.5%-15.0%,其余为Ag。复合膜的制备分两步进行:首先采用Ag与Cr颗粒共电沉积的方法在浸Ag打底的Cu基体上制备Cr颗粒弥散分布的Ag/Cr复合镀层;然后通过Cr颗粒的原位内氧化,使Ag/Cr复合镀层中的Cr颗粒...

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