搜索结果: 1-11 共查到“冶金工程技术 SiC”相关记录11条 . 查询时间(0.019 秒)
利用SiO2、单质Si、Al2O3易溶于氢氟酸、硝酸，而SiC不溶于氢氟酸、硝酸的特性，用氢氟酸、硝酸溶样，过滤的不熔物连同滤纸在瓷坩埚中灰化、灼烧，用重量法测定铁沟料中的SiC量。于滤液中加高氯酸蒸发冒烟除去残余氟离子对Al2O3分析的影响，用强碱沉淀分离、氟盐置换、EDTA滴定法分析Al2O3量。测定结果准确可靠，RSD：SiC＜0.134%，Al2O3＜1.438%。
研究了湿化学法（120 ℃硝酸氧化，还有低温湿法氧化过程和高温退火组合）制备的极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质。用深能阶暂态光谱学（电荷版）分析了电界面性质，用傅里叶变换衰减全反射红外光谱考察了极薄氧化物/6H-SiC结构的光学性质。发现界面缺陷结构的强转换依赖于应用的技术条件。
Effect of Alloying Elements to Aluminium on the Wettability of AL/SiC System
Wetting Sessile drop method Surface tension Aluminium alloys
2009/10/13
The wettability at a liquid Al-alloy/SiC interface was evaluated by the sessile drop method at 750C. The wetting angle, , of a sessile drop on SiC substrate decreased with the addition of Pb, Mg and...
以短切炭纤维、石墨粉、硅粉、树脂和粘结剂为原料，采用温压−原位反应法制备C/C-SiC制动材料，研究C/C-SiC制动材料裂纹的形成机制。研究结果表明：树脂炭化裂解产生大量的气体产物，一部分气体产物碰到裂纹壁时受阻凝聚成含C，P，O和H等元素或自由基团的液滴，炭化后液滴转变成直径为2~4 μm的高含碳量碳球；另一部分气体产物沿着裂纹试图从试样中排出，当裂纹为封闭状态时便促使微裂纹向前扩...
高频红外碳硫法测定碳化硅中SiC
高频红外碳硫吸收法 碳化硅 预处理 合成标准样品
2009/2/23
采用对试样进行灼烧预处理的方法，除去游离碳，用高频红外碳硫仪测定碳化硅中的SiC。探讨了锡粒、纯铁、钨粒作为助熔剂的用量，并以纯碳化硅和粘合剂合成的标准样品校正仪器，本方法的相对标准偏差(RSD)为0.73%(n=7)。
Influence of SiC particles on the heat exchange at the metal-mould interface during composite flow along the mould channel
Composites Heat exchange Heat transfer coefficient Thermal analysis Aluminum alloys
2011/3/15
Calculation results concerning the heat transfer coefficient at the metal-mould interface during flow of the AlMg10 alloy matrix composites containing various fractions of solid SiC particles and, for...
热压C-SiC-B4C-TiB2复合材料的组织与力学性能
C-SiC-B4C-TiB2复合材料 热压 显微组织 力学性能
2010/3/15
以磷片石墨Cfg，SiC，B4C和TiO2为原料，热压合成C-SiC-B4C-TiB2复合材料，研究不同Cfg含量和热压温度对复合材料显微组织和力学性能的影响规律。结果表明：烧结过程中TiO2与B4C反应原位生成TiB2；复合材料的密度和抗弯强度随着热压温度的升高而增加，却随着Cfg含量的增加而降低，随着热压温度的升高和Cfg含量的增加，复合材料的断裂韧性则提高；在2 000 ℃，25 MPa下热...
用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计
2007/7/28
专著信息
书名
用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计
语种
中文
撰写或编译
作者
蒲红斌,陈治明,李留臣,封先锋,张群社,沃立明
第一作者单位
出版社
《人工晶体学报》,Vol.33(5),pp.712-716 (2004)
出版地
出版日期
2004年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
在SiC衬底上生长SiCGe及其在光控SiC功率器件中的应用...
不锈钢表面沉积SiC作为氢渗透阻挡层的研究
2007/7/28
期刊信息
篇名
不锈钢表面沉积SiC作为氢渗透阻挡层的研究
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
王佩璇,王宇,史宝贵
第一作者单位
刊物名称
金属学报
页面
1999.06, 35(6) 654-658
出版日期
1999年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
金属表面SiC氢阻挡层的微观研究
用Ti/Ag粉坯连接的SiC陶瓷界面
陶瓷/金属 界面结构 SiC陶瓷
2010/3/18
以Ti、 Ag金属粉末压坯做焊料， 采用热压反应烧结连接工艺连接再结晶SiC陶瓷。 当焊接温度为1030℃， 接头抗弯强度最高达116.8MPa， 为母材强度的73.4%。 显微分析表明： 在焊料产物层与SiC陶瓷母材之间形成一个反应层， 焊接温度的变化对反应层的厚度有明显影响；反应层主要由TiC、 Ti5Si3和Ti3SiC2组成，且Ti3SiC2紧邻母材SiC， 而TiC则靠近焊料产物层一侧。...