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采用第一性原理密度泛函理论研究了六角层状晶体WSe2的电子结构和各向异性光学性质.结果表明:WSe2为间接带隙半导体,带隙值为1.44eV,略小于实验值(1.51eV);价带和导带均主要由W-5d和Se-4p电子构成,在价带顶(0~2eV)及导带底(1.5~3.5eV),W-5d和Se-4p电子杂化明显,形成共价键.介电函数的虚部和实部均表现出明显的各向异性,εi(xx)有一个明显的介电吸收峰,而...
二维过渡金属硫族化合物由于其具有原子级别的厚度、较强的自旋轨道耦合、较大的激子束缚能和可见光区直接带隙的特点，逐渐成为后摩尔时代新材料的研究热点。尤其是单层过渡金属硫族化物提供了一种新的电子自由度——能谷，为未来光电信息处理提供了新的途径。最近，在二维体系中利用缺陷发光实现了单光子光源，这为片上集成量子光学网络提供了一个新的平台。然而，这些二维材料单光子发光中心的来源以及其辐射复合机理依然不是很清...