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开展了星用双极器件及模拟电路的低剂量辐射损伤效应、损伤机理、评估方法的研究
星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究
功率MOSFET器件 单粒子烧毁 锎源
2009/2/13
针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062，利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统，在252Cf模拟系统上开展了单粒子烧毁评估试验研究。通过试验研究获得了被试器件单粒子烧毁的电压阈值，为被测器件在卫星型号的使用提供技术参考依据。
星用典型CMOS器件54HC04~（60）Co源辐射效应研究
辐射效应 阈值电压 总剂量 量率
2008/12/25
给出了加固和非加固 5 4HC0 4电路在不同辐射偏置下的低剂量率辐射实验结果 ,探讨了电流转移曲线、辐射感生漏电流、阈值电压、转换电压随辐射剂量的变化关系。
中国科学院新疆理化技术研究所专利：星用辐射效应探测器
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐射效应 探测器
2024/5/17
一种与星上数据采集系统配套使用，检测粒子辐射对ＣＭＯＳ集成电路影响的星用ＣＭＯＳ辐射效应探测器，能完成对电离辐射敏感的ＣＣ４００７电路Ｎ沟管阈电压值检测。主要由测量控制电路、恒流源电路、电压输出接口电路和被测ＣＭＯＳ４００７组成，采用星上数据采集系统给出的一路测量启动脉冲控制，按时序对两片４００７中６个Ｎ沟管阈电压依次测量，输出模拟电压信号送至星上数据采集系统的模数转换器ＡＤＣ０８１６。该探测器具...