搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 拓扑”相关记录27条 . 查询时间(0.123 秒)
移动中继双向无线充电系统拓扑结构设计
移动中继电源 无线充电 双向拓扑结构 功率变换
2024/3/5
移动中继无线充电系统可实现其与地面端电源和负载间的双向无线电能传输,使电能存储和充电更具便携性和灵活性,易于实现电工装备的无人化与智能化。作为新型无线充电系统,移动中继无线充电装置设计的重点和难点之一是电能的双向变换,因此提出针对移动中继双向无线充电的功率变换新型拓扑结构,设计具体参数,并进行仿真和实验验证。建立双向无线充电系统仿真模型,对不同互感、负载、输出功率下的系统进行仿真研究,并搭建了10...
针对负载和耦合系数均有可能大范围变化的实际工况,提出一种新型的基于铁磁谐振的非线性无线电能传输拓扑结构。首先,使用杜芬方程和相量分析法对工作原理进行定性分析;其次,使用有限元电路仿真软件对上述原理进行数值验证计算;最后,搭建了功率可达566 W、效率可达93.5%的非线性拓扑无线电能传输系统原型。实验结果表明,在次级稳压输出200 V的条件下,提出的非线性LCC-LCC拓扑能够适应耦合系数从0.1...
近年来,无线电能传输技术因其稳定、安全、电气隔离等优势受到研究者广泛关注。在实际应用中,确保无线电能传输系统在零相位角的条件下实现稳定的先恒流后恒压充电输出对延长电池寿命和提高系统的功率传输效率至关重要,因此,提出了一种基于频率切换的S/SP拓扑补偿的具备恒流和恒压充电功能的WPT系统。通过理论分析,该系统可以在2个固定的零相位角频率点下实现稳定的恒流和恒压充电输出特性,且无需重构电路补偿结构。
北京理工大学教师与美、德高校教授联合攻克分子拓扑绝缘体难题（图）
分子拓扑绝缘体 分子电子学 半导体
2022/7/12
半导体领域的摩尔定律预示了器件小型化甚至微型化的趋势，使人们的目光逐渐聚焦到分子电子学这一新兴领域。目前，单分子电路导电元件的研究大多数都是基于共轭单元构筑分子导线，并且通常通过相干和非共振机制进行传导。但在这种情况下，电导率会随着分子导线长度的增加呈指数下降。因此，自1980年代以来，人们提出了构建具有反向电导衰减的分子导线的设想，也就是说，分子线的电导率随着长度的增加而增加。在此类研究中，实现...
电子科技大学电子科学与工程学院严鹏教授课题组在拓扑电路领域取得重要研究进展（图）
严鹏 教授 拓扑电路
2020/10/12
近日，我校电子科学与工程学院、电子薄膜与集成器件国家重点实验室严鹏教授课题组在巧妙设计的拓扑电路（topolectrical circuit）实验里首次观察到了平方根高阶拓扑绝缘相。9月17日，该成果以“Realization of the Square-Root Higher-Order Topological Insulator in Electric Circuits”为题，在国际顶级学术期...
最近发现的拓扑相为自旋电子学和凝聚态物质提供了新的可能性：即使物质的绝缘状态在某些物理系统的边缘也表现出导电性。它们会产生异常的量子霍尔效应和其他相干自旋传输现象，其中散热最小化，因此可用于量子计算（量子霍尔效应）、存储芯片（SOT-MRAM）等新一代电子信息技术。其体态绝缘而表面导电的奇异性能主要来源于本征强自旋-轨道耦合。拓扑绝缘体中的低维导电态，即表面态狄拉克锥是受时间反演对称性保护而形成的...
《Nature Communications》报道南京大学电子科学与工程学院蒲殷副教授、伍瑞新教授课题组及其合作团队在基于位错结构的拓扑光捕获的重要进展（图）
Nature Communications 南京大学电子科学与工程学院 蒲殷 副教授 伍瑞新 教授 位错结构 拓扑 光捕获
2018/7/31
最近，南京大学电子科学与工程学院的蒲殷副教授与苏州大学的蒋建华教授合作，证明了在具有实空间和并行波矢空间的双拓扑结构中，可能会导致较低维度的光捕获效应。他们以二维光子晶体为载体，从理论上提出并通过微波实验研究首次在光子晶体中发现，在二维光子晶体位错位置上存在零维的位错局域态。该光子束缚态是以Jackiw-Rebbi光孤子模式出现的，与以往的腔模局域态不同，这种强约束的腔模式是稳健的、不受微扰影响。
《ACS Nano》报道南京大学电子科学与工程学院王学锋教授、徐永兵教授、张荣教授团队在拓扑自旋电子器件领域的重要进展（图）
南京大学电子科学与工程学院 王学锋教授 徐永兵教授 张荣教授团队 拓扑 自旋电子器件
2018/3/20
近日，南京大学电子科学与工程学院王学锋教授、徐永兵教授、张荣教授团队在拓扑自旋电子器件领域取得新进展，通过引入非磁元素掺杂而诱导拓扑绝缘体发生拓扑量子相变，测量到了奇异的三轴各向异性磁电阻，并研制出新型的室温全空间磁传感原型器件。该项研究工作以《拓扑相变诱导(Bi1–xInx)2Se3纳米器件的三轴矢量磁电阻》(Topological Phase Transition-Induced Triaxi...
中国科学院半导体研究所等在拓扑激子绝缘体相研究中获进展（图）
中国科学院半导体研究所 拓扑 激子绝缘体相
2018/1/19
上世纪60年代，诺贝尔奖获得者Mott提出激子绝缘相，Mott提出考虑库仑屏蔽效应，在半金属体系中电子-空穴配对而形成激子，可能会导致体系失稳，从而在半金属费米面处打开能隙，形成激子绝缘体状态。但迄今为止，实验上观测激子绝缘体相是一个尚未完全解决的关键科学问题。激子绝缘体相存在及其玻色-爱因斯坦凝聚的确凿证据并不充分，主要是由于激子的寿命较短，带来观测上的困难。InAs/GaSb半导体量子阱系统是...
中国科学院物理研究所等发现拓扑绝缘体电子退相干新机制（图）
中国科学院物理研究所 拓扑绝缘体电子 退相干新机制 电子波能
2017/7/19
固态系统的量子输运性质与电子的波动性密切相关。在低温下，电子波能在很长距离上保持相干性，波的干涉带来了丰富多彩的介观物理效应，如Aharonov-Bohm效应、Altshuler-Aronov-Spivak效应、普适电导涨落和弱局域化效应等。研究材料中的电子的退相干机制不仅有助于深入理解量子输运性质，而且对利用波的干涉性质探索新奇准粒子和进一步进行量子信息处理也至关重要。
基于AFT满足下行约束的物理拓扑发现方法
物理拓扑发现 地址转发表 网络管理
2016/12/27
物理拓扑发现对于网络管理和应用具有重要意义，基于地址转发表的物理拓扑发现是目前学术界研究的热点问题.但由于实际网络的地址转发表通常不完整，导致了物理拓扑发现的难度，本文基于降低在实际拓扑发现时对AFT完整性的要求，定义了地址转发表的三类约束，并提出了地址转发表满足下行约束的树型剪裁算法，用于发现子网的物理拓扑结构.算法极大地降低了拓扑发现对地址转发表完整性的要求，是对仅通过下行端口地址转发表进行拓...
近日，中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室乔振华教授研究组与国内外研究人员合作，在拓扑交叉点反常电流分配规则的理论研究上取得新进展，相关研究成果发表在5月20日出版的《物理评论快报》上 。
中国科学院物理研究所验证了拓扑绝缘体中的自旋-轨道锁定现象（图）
拓扑绝缘体 自旋-轨道
2014/3/28
拓扑绝缘体代表一种全新的量子态，具有奇特的电子结构和自旋结构。它的体态是有能隙的半导体或者绝缘体，但表面态（边缘态）则为无能隙的金属态。已有的理论和实验已经确定，拓扑绝缘体表面态电子的自旋高度极化，而且电子自旋和晶体动量锁定在一起（spin-momentum locking），形成独特的螺旋状自旋结构（helical spin texture）。拓扑绝缘体独特的电子结构和自旋结构，对决定拓扑绝缘体...
中国科学院半导体研究所常凯研究组，提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功的证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用有向前推进了一步。