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中国科学院金属研究所专利：一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 光伏特性 拓扑绝缘体 薄膜
2023/8/11
中国科学院金属研究所专利：一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法
拓扑绝缘体的材料制备和量子输运特性是近年来国际研究前沿的一个热点。在众多拓扑绝缘体材料中，Bi2Se3是拓扑绝缘体家族中一种重要的三维强拓扑绝缘体。拓扑绝缘体纳米结构因其巨大的比表面积和增强的表面电导贡献非常有利于探索拓扑绝缘体奇异表面态的物理性质和开发拓扑绝缘体在自旋电子学等方面的潜在应用。