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本发明涉及一种深紫外波段的硼酸铷钡双折射晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为Rb5Ba2B21O36，分子量为1505.02，属三斜晶系，空间群为P，晶胞参数为a=6.7686(7)Å，b=11.0035(12)Å，c=11.2465(11)Å，α=99.443(4)°，β=90.790(4)°，γ=99.855(4)°，Z=1，V=813.32(15)Å...
中国科学院新疆理化所在深紫外双折射晶体设计方面取得进展（图）
新疆理化所 深紫外双折射晶体设计
2022/11/26
双折射晶体是产生和调制偏振光的关键材料，被广泛应用于光通信、偏光信息处理、高精度科研仪器以及激光工业等领域。当前能应用于深紫外波段（< 200 nm）的双折射材料设计是一个挑战。为了满足科技发展需求，开发综合性能优异的新型深紫外双折射材料仍然是亟待解决的问题。研究发现，具有共轭π轨道的 [BO3]3-平面基元能够产生大的极化率各向异性，进而利于获得大的双折射率，是短波长双折射材料设计的优异的基本结...
上海光机所在KDP家族晶体产生深紫外激光方面取得新进展（图）
KDP家族晶体 深紫外激光
2023/1/7
中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光物理联合实验室前沿部在基于KDP家族晶体产生深紫外激光方面取得研究进展。相关成果以“Noncritical phase-matching fourth- and fifth-harmonic generation of 1077 nm laser using KDP-family crystals”为题发表于Optics Letters。
双折射晶体在光通信和激光工业中对偏振光的调制起着重要的作用。目前为止，尽管有数种双折射晶体已商业化应用，但可应用于深紫外波段的双折射晶体仍十分有限，深紫外双折射晶体的发展仍然面临着严峻的挑战。
双折射晶体在光通信和激光工业中对偏振光的调制起到重要作用。目前，有数种双折射晶体已商业化应用，但可应用于深紫外波段的双折射晶体有限，深紫外双折射晶体的发展面临挑战。
近日，广西大学物理科学与工程技术学院孙文红教授领导的光电材料与器件研究团队成果以“Recent Advances in Packaging Technologies of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes”为题在《Advanced Materials Technologies》杂志上发表综述文章。
非线性光学（NLO）倍频开关材料是指NLO倍频响应在不同的外部刺激下发生可逆转换的一类材料，在光学开关、传感器、数据存储、智能器件等领域有应用前景。目前，NLO倍频开关材料主要集中在有机物和有机-无机杂化化合物中，其带隙值往往较窄，深紫外NLO倍频开关材料未见相关报道。
角分辨光电子能谱技术（ARPES）是当代凝聚态物理和材料科学研究中能直接测量电子结构的最重要的实验手段。在众多前沿物理问题的研究中，如高温超导体和其它非常规超导体的超导机理、拓扑材料的探索以及二维材料的超导与奇异物性等方面，角分辨光电子能谱技术都发挥着至关重要的作用。随着研究问题的深入，对光电子能谱的性能提出的要求也越来越高。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心周兴江研究组与中国科学院...
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室在真空紫外（VUV）及深紫外（DUV）相干光源的产生和应用方面取得进展。研究团队利用强场中分子离子的非线性光学效应，产生了多波长、窄线宽、偏振灵活可控的DUV/VUV相干辐射，并展示了该光源在DUV/VUV拉曼梳中的应用。相关结果发表在New Journal of Physics上。真空紫外（VUV, 100-200 nm）与深紫外（...
非线性光学晶体因其频率转换性能广泛应用于扩展激光光源的频率。而对于深紫外波段的激光光源的迫切需求，使得探索新一代的性能更加优异的深紫外非线性光学晶体成为当前研究的重点和热点。在中科院战略性先导科技专项、国家自然科学基金等项目的资助下，福建物构所中科院光电材料化学与物理重点实验室叶宁课题组首先通过理论计算筛选出了一种新型极性非π共轭深紫外非线性活性结构基元，即(NH2SO3)-。进一步为了验证计算结...
深紫外非线性光学晶体通过频率转换产生深紫外相干光源（波长小于200纳米），是当前深紫外全固态激光技术的核心元件。就当前应用标准而言，深紫外非线性光学性能必须同时满足以下要求：较好的深紫外透过率，较大的倍频效应和足够的双折射率。然而，满足如此苛刻的标准的晶体材料非常罕见，在浩如烟海的晶体材料中寻觅不仅具有足够大的光学带隙、又能够呈现足够强的二阶极性和光学各向异性的深紫外晶体犹如大海捞针。
中国科学院大连化学物理研究所利用深紫外激光PEEM/LEEM表征晶圆六方氮化硼结构的研究取得新进展（图）
中国科学院大连化学物理研究所 深紫外激光 PEEM/LEEM 表征晶圆 六方氮化硼
2020/3/17
近日，催化基础国家重点实验室傅强研究员团队与台积电（TSMC）Lain-Jong Li团队、台湾交通大学Wen-Hao Chang团队、美国莱斯大学B. I. Yakobson团队、北京大学张艳峰教授团队合作，在2英寸晶圆衬底上成功外延生长单晶六方氮化硼（hBN）单层薄膜。六方氮化硼是一类重要的二维半导体层状材料，如何在晶圆上实现单晶六方氮化硼薄膜的可控生长是六方氮化硼未来应用于集成电路中的关键挑...
中国科学技术大学在半导体深紫外LED研究中取得重要进展
中国科学技术大学 半导体 深紫外LED
2019/12/2
中国科学技术大学科研人员巧用蓝宝石调控角度，突破了紫外LED发光性能研究的重要进展。相关研究成果发表在著名学术期刊《先进功能材料》上。紫外线虽然在太阳光中能量占比仅5%，但却广泛应用于人类生活。目前紫外光应用包括印刷固化、钱币防伪、皮肤病治疗、植物生长光照、破坏微生物如细菌、病毒等分子结构，因此广泛应用于空气杀菌、水体净化和固体表面除菌消毒等领域。
近日，国际著名学术期刊《先进功能材料》以“Unambiguously Enhanced Ultraviolet Luminescence of AlGaN Wavy Quantum Well Structures Grown on Large Misoriented Sapphire Substrate”为题在线报道了中国科学技术大学微电子学院孙海定和龙世兵课题组关于利用蓝宝石衬底斜切角调控量子阱...
郑州大学物理学院在深紫外荧光碳纳米点方面取得积极进展
郑州大学物理学院 深紫外荧光 碳纳米点
2019/8/30
近日，郑州大学物理学院材料物理研究所与超算中心合作，首次理论上设计并在实验上实现了深紫外波段发光的碳纳米点，相关成果以题为《Deep-Ultraviolet Emissive Carbon Nanodots》的论文以发表于国际知名期刊《Nano Letters》（影响因子：12.279）。论文第一作者为硕士研究生宋世玉，通讯作者为刘凯凯博士、单崇新教授以及超算中心尚远博士。该研究得到了国家杰出青年...