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基于半导体多量子阱中激子能级的EIT全光开关
半导体多量子阱 电磁诱导透明 全光开关
2014/6/20
我们报道了一种全新的全光开关，该光开关是在半导体多量子阱中基于激子和双激子能级形成的EIT效应，利用量子相干相消效应来减小材料对探测光场的吸收，且探测光场吸收的强度可以通过控制光场来调节。若将控制光场设置为脉冲光场，则可以实现探测光场的开关调制，通过选取适当的控制光场的强度，可以得到约86%的开关效率。
利用传输矩阵法详细研究了形如(HL)kA(LH)k的含N个耦合缺陷一维光子晶体的透射相位特性。研究表明，当 时，光子晶体的透射相移呈近线性变化；而当 时，透射相位曲线在整个禁带范围内呈阶梯变化，且在每个缺陷模附近透射相位随频率迅速改变，其相移量约等于π。当在光子晶体中引入非线性折射率材料时，折射率的微小改变将导致透射光产生π相移，而且此相移过程中透射率接近于零，这有利于减少动态啁啾对透射光信号的影...
合成了一种金属有机配合物[(C3H7)4N][Au(C3S5)2].配制了浓度为1×10－3 mol/L的[(C3H7)4N][Au(C3S5)2]/乙腈溶液,并用旋涂法制备了掺杂浓度质量比为1%的[(C3H7)4N][Au(C3S5)2]/PMMA复合薄膜.运用Z扫描方法,分别研究了样品溶液和薄膜在波长为1 064 nm,脉宽为20 ps条件下的三阶非线性光学性质.研究发现薄膜的三阶非线性极化率...
中国科学院物理研究所实现单光子水平的超快全光开关原理性实验
单光子水平 超快全光开关原理性
2008/6/18
近日，中科院物理研究所、北京凝聚态物理国家实验室三个研究组通力合作，实现了由弱光控制强光束的超快全光开关的原理性实验，并将注入光子数降到单光子水平，在实验上演示了单光子水平的超快全光开关。该结果发表于APL 92(2008)151109后，被Nature Photonics，Vol. 2，331 (June 2008) 在Research Highlights中介绍。报道以All-optical ...