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北京师范大学化学学院吴立明课题组在Accounts of Chemical Research杂志发表长篇综述介绍该课题组在“晶体结构–电子结构–热电性能”方面的研究工作（图）
北京师范大学化学学院 吴立明课题组 晶体结构 电子结构 热电性能
2018/1/23
热电材料可以直接将电能和热能进行相互转化，有望作为缓解能源短缺和环境污染问题提供有益的途径。受材料热稳定性等因素限制，不同热电材料适用于不同工作温区。大多数废热源处于中温区，因此中温热电材料具有广泛的用途。化学学院吴立明课题组基于电热输运性质微观机制的研究，系统开展新颖热电材料的理论与实验设计研究。近年来他们在对中温N型热电材料In4Se3体系详细理论研究及结构化学分析的基础上，发现利用In4Se...
CuInS2晶体结构预测及电子结构性质
CuInS2晶体 结构预测 电子结构 化学键
2015/12/26
利用基于多目标粒子群优化算法的卡里普索(CALYPSO)软件预测了CuInS2晶体在常压下的结构。结果表明CuInS2晶体在常压下为四方晶系,空间群为I-42 d。计算了CuInS2晶体的弹性常数矩阵,得到的弹性常数满足了晶体的机械稳定型条件。通过弹性常数计算了体模量,杨氏模量和剪切模量。最后,分别用杂化泛函方法计算了CuInS2的能带结构和投影态密度,结果显示CuInS2晶体为直接带隙半导体,带...
一种基于光子晶体结构的军用车辆红外隐身涂层的设计
光子晶体 军用车辆 红外隐身涂层 传输矩阵
2016/8/16
根据军用车辆的体表温度,针对红外大气窗口,选用常见的Si和LiF为介质,并在考虑各自色散关系的基础上,设计了一具有光子晶体结构的复合涂层。利用传输矩阵法计算表明,当Si和LiF均取4层,且每层的几何厚度分别取0.800 μm和1.900 μm时,在8~14 μm之间存在一个严格的带隙,此带隙有以下特征:介质层数大于4时,带隙不再发生实质性的变化。增加两介质的几何厚度,带隙红移,宽度变宽,反之亦然。...
X射线衍射法研究不同类型淀粉高静压处理后晶体结构的变化
高静压 淀粉 X射线衍射 结晶结构
2012/8/31
对300, 450和600 MPa不同高静压力下导致的淀粉结晶结构变化进行研究。选择不同类型、不同链/支比的三种淀粉为研究对象，进行高静压处理，利用X射线衍射法分析高静压对不同类型，不同链/支比淀粉晶体结构的影响。结果表明：由于X射线衍射峰加强及相对结晶度增大，糯玉米淀粉在300 MPa表现为韧化作用，在450 MPa结晶结构完全解体，600 MPa时发生重结晶;HylonⅦ淀粉在600 MPa以...
三维超分子化合物[Zn(H2O)6]·(C16H8O8)的合成、晶体结构及荧光光谱
超分子化学 氢键 晶体结构 荧光性质
2012/4/13
以醋酸锌和3,3’,4,4’-联苯四羧酸(H4BPTC)为原料，采用水热法合成了一个三维超分子化合物[Zn(H2O)6]·(C16H8O8)(1)。通过红外光谱、元素分析和X射线单晶衍射对其结构进行了表征，X射线单晶衍射分析结果表明，该超分子化合物属于三斜晶系，PT空间群，晶胞参数a=0.654 8(1) nm, b=0.793 9(2) nm, c=0.968 1(2) nm, α=76.29(...
铕掺杂纳米氧化锌晶体结构和荧光光谱的研究
荧光光谱 共沉淀法 能量传 拉曼光谱
2012/4/13
以醋酸锌、氧化铕、氢氧化钠为主要原材料，利用共沉淀法制备ZnO∶Eu3+纳米晶体。在X射线衍射谱中，只观察到氧化锌的峰，没有观察到氧化铕的特征峰。比较了ZnO和ZnO∶Eu3+拉曼光谱，在ZnO∶Eu3+样品拉曼光谱中观察到新的局部振动模。这些现象表明铕离子已经进入氧化锌晶格中。SEM形貌显示Eu3+离子掺入使ZnO晶体颗粒变小。利用荧光光谱仪测试ZnO∶Eu3+晶体激发光谱和发射光谱，发现氧化锌...
我国药用雄黄的晶体结构鉴定
药用雄黄 晶体结构 α-As4S4
2011/5/13
采用拉曼光谱和X射线衍射法，结合文献研究鉴定我国药用雄黄的晶体结构为α-As4S4。实验选取我国唯一药用雄黄的基源矿石——湖南石门雄黄矿石及临床药用的饮片、中成药制剂等10批样品为研究对象，测定了其XRD(X-ray diffraction)图谱和拉曼光谱，其特征谱线经全谱拟合获得了PDF(the powder diffraction file)号及晶体常数，拉曼光谱解析了其成键情况，并且通过对不...
大带隙二维光子晶体结构的研究
光子晶体 介质柱 平面波展开法
2009/8/27
针对三种常见的介质柱横截面分别为正六边形，正方形和圆形的二维光子晶体，提出了一种增大光子带隙的方法.直角坐标系下，使X方向长度增大p倍，并以原点为中心旋转角度φ，通过调整p和φ来降低结构对称性，使用平面波展开法，对其进行了大量的仿真分析.结果表明，结构改变后的光子晶体具有较大的带隙率.对于三种介质柱的三角晶格结构的光子晶体，最大带隙率能达到12％以上，尤其对于正方柱三角晶格光子晶体，最大带隙率达到...
应用于光隔离器的一维磁光光子晶体结构探索
光子晶体 光隔离器 传输矩阵法
2009/8/13
采用传输矩阵方法分析了一维磁光光子晶体.对不同结构参量下的磁光多层膜的光学性质进行了数值计算.得到了一种新颖实用的磁光多层膜结构,可用作实现光集成应用中的光隔离器的元件.典型磁光材料的厚度仅为2.13 μm,一维磁性光子晶体的总厚度仅为7.03 μm.
一维光子晶体结构参数对禁带带隙的影响研究
平面波法 光子禁带 带隙宽度 最小二乘曲线和曲面拟合
2008/7/7
采用平面波法(PWM)计算一维光子晶体的带隙结构。分别就构造一维光子晶体结构的高低折射膜层的介电常数及填充比(高折射膜层的厚度与晶体周期长度的比值)对禁带带隙宽度的影响作出分析。通过最小二乘曲线和曲面拟合得到带宽与介电常数或带宽与填充比的函数关系图，以确定最佳的禁带带宽，从而设计一维光子晶体的周期结构。对高低折射膜层为GaAs/空气组成的一维光子晶体，介电常数比约为13/1，当填充比为0.16时，...
应用于光隔离器的一维磁光光子晶体结构探索
光子晶体 光隔离器 传输矩阵法 法拉第旋转效应
2008/3/16
采用传输矩阵方法分析了一维磁光光子晶体.对不同结构参量下的磁光多层膜的光学性质进行了数值计算.得到了一种新颖实用的磁光多层膜结构,可用作实现光集成应用中的光隔离器的元件.典型磁光材料的厚度仅为2.13 μm,一维磁性光子晶体的总厚度仅为7.03 μm.