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上海微系统所在硅基磷化铟异质集成片上光源方面取得重要进展（图）
硅基磷化 铟异质集成 单晶薄膜
2024/3/16
2024年3月13日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队，在通讯波段硅基磷化铟异质集成激光器方面取得了重要进展。基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量4英寸硅基InP单晶薄膜异质衬底（InPOS），并进一步制备了性能优异的晶圆级硅基1.55 mm通讯波段法布里-珀罗腔（FP）腔激光器，得益于高质量的硅基磷化铟单晶薄膜，器件连续波（CW）模式下单面最高输出功率达155 mW且...