搜索结果: 1-15 共查到“核科学技术 电离辐射”相关记录32条 . 查询时间(0.155 秒)
本发明涉及一种用于横向NPN晶体管辐射损伤的定量分离测试方法，该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极晶体管特性，又使的器件具有MOS管的特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势。本发明使用附加栅电...
本发明涉及一种用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法，该方法涉及装置是由栅控纵向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成，利用附加栅电极半导体工艺，在常规双极NPN晶体管的CE、EB结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极常规特性，又使的器件具有MOS管特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋...
本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
本申请实施例公开了一种电离辐射总剂量和电磁辐射协和效应测试方法及平台，该方法包括：获取累积了不同电离辐射总剂量的模数转化器ADC芯片样本组；对累积了不同电离辐射总剂量的ADC芯片样本组进行电磁辐射试验，以获取所述ADC芯片样本组中的每个ADC芯片样本出现电磁辐射协和效应的阈值数据；根据获取的所述阈值数据拟合ADC芯片的电离电磁辐射协和效应阈值随电离辐射总剂量的累积而产生的变化趋势。通过该实施例方案...
2022年9月6日，联合国原子辐射影响科学委员会(UNSCEAR)启动了电离辐射职业照射的最新评估行动。委员会分析了2003-2014年期间的最新可用数据，并将结果与UNSCEAR以前的报告进行了比较。
近日，我院申请的“山西省防电离辐射工程防护技术指导中心”喜获山西省卫生健康委员会批准，于1月6日挂牌成立！
CIAE电离辐射计量技术发展回顾
中国原子能科学研究院 电离辐射计量 发展回顾
2021/1/13
本文回顾了中国原子能科学研究院(CIAE)早期开展的电离辐射计量与测试技术研究及成果、电离辐射一级计量站成立后电离辐射计量体系的建立与完善，以及2000年后电离辐射计量新技术与新方法研究。通过回顾CIAE电离辐射计量技术从满足核工业所需的常规电离辐射计量测试方法到绝对测量新方法研究、极值量计量、动态量计量、特殊环境计量、特殊放射性气体活度计量以及特殊放射性标准物质制备的发展历程，追根溯源，以期进一...
南京航空航天大学2018年硕士研究生入学考试电离辐射探测学初试试题。
南京航空航天大学2017年硕士研究生入学考试初试电离辐射探测学试题。
南京航空航天大学2016年硕士研究生招生考试初试电离辐射探测学试题。
SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误实验研究
瞬时电离辐射 功能错误 敏感配置位
2013/4/26
定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误，认为功能错误阈值与敏感配置位数无关。设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链，在“强光一号”加速器上开展了FPGA瞬时电离辐射效应实验研究，对比了各功能输出在不同剂量率下的功能错误情况，结果未发现敏感配置位数对功能错误阈值有任何影响，验证了定性分析结论。
中国科学院近代物理研究所电离辐射敏感区域研究获进展（图）
中国科学院 近代物理研究所 电离辐射 敏感区域
2012/11/12
Nature新子刊Scientific Reports于近日在线发表了中国科学院近代物理研究所辐射医学研究室科研人员在电离辐射引起的线粒体DNA非随机性损伤的研究成果。研究人员通过分子生物学手段全面解析了电离辐射对线粒体DNA全序列所造成的区域性损伤，发现这种损伤存在非随机性。随后又利用生物信息学手段进行分析，进一步阐明了电离辐射造成线粒体DNA非随机损伤的内在机理。
离散傅里叶变换在电离辐射探测器性能分析中的应用
离散傅里叶变换 频谱 前置放大器
2012/3/22
为了研制性能优良的电离室探测器前置放大器，以满足冷轧钢板测厚仪的需要，本文将傅里叶分析方法应用于电离室探测器前置放大器的性能分析中。通过对探测器零点数据的离散傅里叶变换（DFT），对电离室探测器前置放大器的设计予以有效的指导，设计出应用于实际冷轧钢板测厚仪中的电离室探测器前置放大器。
对两种不同类型BiMOS运算放大器（JFET-Bi，PMOS-Bi）γ瞬时电离辐射效应进行研究。结果显示，BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性，在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长，剂量率较高时，扰动时间呈现出饱和特性。另外，输入信号不同，输出扰动时间随剂量率的变化也会有差异。
不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应
电离辐射 电流反馈运算放大器 偏置 低剂量率损伤增强效应
2011/8/24
在不同偏置条件下，对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器（CFA）进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现，在不同偏置条件下，器件损伤差异明显。在零偏条件下，器件在低剂量率下损伤显著增强，表现为低剂量率损伤增强效应（ELDRS）；在小工作电压下辐照时，器件损伤较小，且不同剂量率之间损伤差异不明显；而在大工作电压下辐照时，器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤，在随后的室温退火中，...