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搜索结果: 1-6 共查到光学工程 单片集成相关记录6条 . 查询时间(0.168 秒)
2024年5月6日,中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组(508组)吴忠帅研究员团队和中国石油大学(华东)吴明铂教授团队合作,在3D打印石墨烯微型超级电容器研究方面取得新进展,开发出一种适用于3D打印的高质量无添加剂石墨烯油墨,研制出高集成密度、高输出电压和高电压密度微型超级电容器。
硅基光电芯片在人工智能、超大规模数据中心、高性能计算、光雷达(LIDAR)和微波光子学等领域具有广泛的应用。单片集成的硅基激光器具有低功耗、集成度高等优点,是未来光互连和高速光通信芯片的发展趋势。近年来,在硅衬底上直接外延生长III-V族量子点(QD)激光器取得了显著的进展,为硅基光电集成奠定了坚实的基础,但尚未实现硅基激光器与光电子器件的单片集成
本文介绍了一种用于读取角速度信号的单片集成微机械陀螺仪接口电路,该接口电路采用了相关双采样技术以抑制1/f噪声和运算跨导放大器的失调.为了方便系统仿真和测试,本文设计了一种微机械陀螺仪的等效电路.该接口电路采用0.35 μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.09mm×0.87mm.后仿真结果表明,该接口电路能达到0.58aF的电容分辨精度,动态范围达99.7dB.测试结果表明,接口电路系统...
设计了一种用于塑料光纤通信的650 nm单片集成光接收芯片,包括光电探测器、跨阻前置放大器、单双端转换、差分放大器、输出缓冲器及失调电压补偿电路.基于合理假设与近似,从稳态连续方程和边界条件出发,分析了探测器的光谱响应;采用拉普拉斯变换方法,分析其频率响应.采用0.5 μm BCD工艺流片,光接收芯片版图面积832×948 μm2进行测试,结果表明5V反向偏压下,探测器在650 nm的响应度为0....
单片集成于SOI上的光电探测器。
该成果是在InP衬底上制作InP光波导和InGaAs光电探测器的一种单片集成,能用于光纤通信等方面。主要内容包括:进行材料和器件结构设计;材料生长及其相容性研究;器件工艺及其相容性研究;建立相应的测试手段和方法,并测出器件特性。器件正向压降0.4~0.6V,反向击穿电压40V,暗电流<1nA,响应度0.5A/W,光波导传输损耗8.6dB/cm,传输模式为单模。该成果解决了波分复用光通信中单片集成接...

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