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2024年6月11日，微电子所高频高压中心GaN功率电子器件研发团队联合香港科技大学、北京大学和西安电子科技大学在应用物理领域国际权威期刊Applied Physics Reviews上发表了综述文章《III族氮化物异质结金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的阈值电压不稳定性研究：表征方法与界面工程》（Threshold voltage instability in III-nitride he...
近日，中国科学院微电子所刘新宇研究员团队以PEALD 沉积SiN作为栅介质，成功研制出高性能毫米波MIS-HEMT，并通过远程等离子体预处理（RPP）技术，在EC - ET > 0.4 eV条件下, 界面态密度达到了6×1011 cm-2 eV-1~2.1×1012 cm-2 eV-1，实现了低界面态密度，减小了器件的关态泄漏电流，保证了器件具有良好的阈值电压稳定性。与常规HEMT器件相比，MIS...
近日，中国科学院微电子研究所氮化镓（GaN）功率电子器件研究团队与香港科技大学教授陈敬团队，西安电子科技大学教授、中国科学院院士郝跃团队合作，在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得新进展，成功研制出具有国际先进水平的高频增强型GaN MIS-HEMT器件。