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上海微系统所等实现六方氮化硼纳米带的带隙调控（图）
上海微系统所 六方氮化硼 光电子学器件
2023/7/16
六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。
2012年3月21日下午，受新能源技术中心主任刘正新研究员邀请，日本产业技术综合研究所（AIST）太阳光发电工学研究中心副主任Dr. Shigeru NiKi到上海微系统所交流访问，并做了题为“Critical issues for high-efficiency CIGS solar cells and modules”的报告。
上海微系统与信息技术研究所与上海天文台开展工作交流（图）
上海天文台 工作交流 光学望远镜 射电望远镜
2012/5/10
在交流座谈会上，上海天文台副台长侯金良介绍了天文台的整体情况以及在科研经费管理、职代会民主管理、后勤改革等方面的做法，俞跃辉副书记介绍了上海微系统所的历史沿革、科技创新工作和“一三五”战略规划等，双方围绕着新形势下如何合理使用科研经费、运用职代会等形式妥善解决历史遗留问题、后勤改革现状及未来的发展模式、做好不同类型科研活动的绩效评估和薪酬体系设计以及加强质量管理等开展了深入研讨。
上海微系统所举办客座教授聘请仪式暨SOI光电集成学术报告会
张峰博士 硅光子 三维光子 学术报告会
2012/3/15
为落实中科院“创新2020”战略，推进所“一三五”规划中SOI技术的突破发展，王曦院士邀请英国Rockley Group公司董事长Andrew Rickman博士和美国普渡大学祁明浩教授2012年2月6日访问上海微系统所开展学术交流并举行客座研究员聘请仪式，所党委副书记俞跃辉主持了仪式和学术报告会。
Pern 博士首先简要介绍了NREL实验室开展的先进的研究工作，接着他基于CIGS电池研制过程中实际发现的系列问题，介绍了光致发光（PL）、电致发光（EL）及电化学阻抗谱（ECIS）在太阳电池研制过程中对电池失效或性能降低机理分析方面的作用，通过三种手段结果与实际电池电学和光学性能的关联度对比，启发式探索电池高效化的机理和途径。他认为PL谱、EL谱和ECIS谱还可以拓展到其它晶体硅、非晶硅太阳电池...
