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搜索结果: 1-3 共查到微电子学 Si相关记录3条 . 查询时间(0.102 秒)
近日,合肥工业大学微电子学院安徽省MEMS工程技术研究中心许高斌教授团队于永强课题组针对有广泛应用前景的新型成像技术——单像素成像(single-pixel imaging),设计并制备了用于Hadamard单像素成像的低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管,在不添加任何滤波电路的条件下实现了高质量的128*128像素的成像结果。相关研究成果以“Low dark-current V2...
2014年12月2—4日,中国科学院微电子研究所举办了 Si基CMOS器件及光电器件技术高级研讨培训班。本次培训获得了院人事局培训资金的支持,共分六个主题研修内容,分别由中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心四位中组部“千人计划”专家、两位国际知名学者主讲。院内外从事集成电路器件与工艺和硅基光电子器件研究的工程技术人员、科研工作者及研究生共近200人参加了培训。
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理。通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析,得到最佳工艺条件的碳化温度为1 000 ℃,碳化时间为5 min,生长温度为1 200 ℃,生长速度为4 µm/h。对最佳工艺条件下得到的外延层的台阶...

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