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合肥工业大学微电子学院在低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管应用于Hadamard单像素成像领域取得重要进展（图）
合肥工业大学微电子学院 低暗电流 V2CTx/n-Si vdW 肖特基光电二极管 Hadamard 单像素成像 微电子器件 IEEE Electron Device Letters
2023/1/5
近日，合肥工业大学微电子学院安徽省MEMS工程技术研究中心许高斌教授团队于永强课题组针对有广泛应用前景的新型成像技术——单像素成像（single-pixel imaging），设计并制备了用于Hadamard单像素成像的低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管，在不添加任何滤波电路的条件下实现了高质量的128*128像素的成像结果。相关研究成果以“Low dark-current V2...
2014年12月2—4日，中国科学院微电子研究所举办了 Si基CMOS器件及光电器件技术高级研讨培训班。本次培训获得了院人事局培训资金的支持，共分六个主题研修内容，分别由中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心四位中组部“千人计划”专家、两位国际知名学者主讲。院内外从事集成电路器件与工艺和硅基光电子器件研究的工程技术人员、科研工作者及研究生共近200人参加了培训。
Hydrogenated amorphous silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT) pixel electrode circuit with a function of current scaling is proposed for active-matrix organic light-emitting displays (AM-OLEDs). In...
We fabricated and characterized the hydrogenate amorphous-silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT) pixelelectrode circuit with the current-scaling function that can be used for active-matrix organic ...
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜，研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响；探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理。通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析，得到最佳工艺条件的碳化温度为1 000 ℃，碳化时间为5 min，生长温度为1 200 ℃，生长速度为4 µm/h。对最佳工艺条件下得到的外延层的台阶...
多层a-Si∶H/a-SiNx∶H薄膜中氢含量的研究
非晶硅 多层膜 退火处理 氢的外扩散
2010/4/2
将PECVD方法制备的多层a-Si∶H/a-SiNx∶H膜在N2气氛中进行不同温度的退火处理后,利用红外吸收谱、核反应方法,次级离子质谱(SIMS)和透射电镜(TEM)对膜中氢从表面渗出及其与温度的依赖关系进行了测试和分析。最后对氢的外扩散现象提出了几种可能的简单解释。
α-Si∶H摄象管靶的光谱响应和最佳靶厚
摄象管靶 非晶硅 光谱响应
2009/11/17
用动态系统测量了α-Si∶H靶电压对光谱响应的影响,发现对短波响应影响较大。推导了靶光电流is和饱和电压Vs的计算公式,发现Vs∝[(μp,τp)-1,ω2]。从测量的Vs值,计算了μpτp值。发现它随入照光波长的缩短而减小。估算了对单色光和对白光的最佳靶厚。
10GhzSiGe/Si异质结晶体管
10GhzSiGe/Si 异质结晶体管
2008/12/11
本项目研究了SiGe/Si异质结双极晶体管及其IC和超高速应用。其应用基础是首先研制出性能良好的SiGe/SiHBT。主要特点是：1）采用基区量子阱输运的新结构，很好地解决了器件参数之间的相互制约，提高了基区载流子横向输运速度，大大降低了rbb；2）在基区中采用浙变的Ge组分，形成了很强的电子输运加速场，同时亦形成空穴量子阱；3）用侧壁氧化形成隔离墙的自对准工艺缩短了空穴的横向运动距离。以上措施使...
高速电路用GeSi/Si外延材料
HBT SiGe/Si材料 分子素外延
2008/11/11
本项目为SiGe/Si材料生长工艺及其掺杂控制技术，项目过程中生长出了高质量的n-p-n HBT所需要的Si/SiGe/Si构材料：Ge组分及n、p型掺杂均达到项目指标要求；能够严格控制n、p型掺杂区域，将基区的硼杂质限制在基区内，保证了pn结与SiGe/Si异质结相重合。此为目前国内生长的Si/SiGe/Si材料制备的 HBT器件的最好结果。本项目采用的GSMBE技术生长SiGe/Si高速电路用...
SiO_2-Si界面射频等离子体退火性质研究
SiO_2-Si 界面射频 等离子体退火
2008/10/21
众所周知,SiO_2-Si结构中界面态和固定界面电荷以及SiO_2中的陷阱电荷,强烈影响硅平面型器件的性能及其稳定性.因此用退火来降低这些电荷中心是非常重要的.我们用氧气氛低压辉光放电产生的射频等离子体对SiO_2-Si界面退火(简称RFP退火).
电子束蒸发二氧化硅膜在SiGE/Si HBT中的应用研究
2007/7/28
期刊信息
篇名
电子束蒸发二氧化硅膜在SiGE/Si HBT中的应用研究
语种
中文
撰写或编译
作者
邹德恕，陈建新
第一作者单位
刊物名称
半导体技术
页面
1996，2，42-44
出版日期
1996年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
SiGe/Si异质结超高速微电子和红外光电子的器件和集成
Quasi-Monolithic Si-GaAs Hybrid Technology For Microwave And Millimeter-Wave Application
Quasi-Monolithic Si-GaAs Hybrid Technology Microwave Millimeter-Wave Application
2010/7/15
A novel planar quasi-monolithic (QM)hybrid integration technology for microwave and millimeter-wave application is presented. Microwave transistor chips are embedded in high-resistivity silicon substr...
The a-SiC/c-Si(n) Isotype Heterojunction as a High Sensitivity Temperature Sensor
Heterojunction temperature sensors microelectronic devices
2010/12/10
The a-SiC/c-Si(n) isotype heterojunction has been studied as a temperature sensor by measuring its reverse current-voltage (IR−V) and reverse voltage-temperature (V-T) characteristics, as well a...
