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国家重点研发计划重点专项-"高宽带超高速数据率及宽带可重构射频系统集成芯片(RF SoC)技术研究"项目中期检查会议顺利召开（图）
国家重点研发计划重点专项 光电子 微电子器件 宽带 射频系统集成芯片 RF SoC
2022/5/10
2021年5月27日，由东南大学网络空间安全学院教育部“长江学者”特聘教授、东南大学首席教授黄风义牵头承担的国家重点研发计划“光电子与微电子器件及集成”重点专项“高宽带超高速数据率及宽带可重构射频系统集成芯片（RF SoC）技术研究”项目中期检查会议在南京召开。东南大学副校长丁辉、科技部高技术中心有关负责同志、我院党委书记施畅、专项总体专家组、项目责任专家、项目负责人、课题负责人及骨干成员约30人...
西安电子科技大学高频电子线路课件 RF Microelectronics 2nd。
西安电子科技大学高频电子线路课件chapter1 Introduction to RF and Wireless Technology
西安电子科技大学 高频电子线路 课件 Introduction to RF Wireless Tec
2019/4/26
西安电子科技大学高频电子线路课件chapter1 Introduction to RF and Wireless Tec。
西安电子科技大学高频电子线路课件chapter2 Basic Concepts in RF Design
西安电子科技大学 高频电子线路 课件 chapter2 Basic Concepts in RF Design
2019/4/26
西安电子科技大学高频电子线路课件chapter2 Basic Concepts in RF Design。
Optimal Basis For Ultrasound RF Apertures: Applications to Real-Time Compression and Beamforming
ultrasound rf compression beamforming Karhunen-Loeve Transform 2D FFT
2014/12/8
Modern medical ultrasound machines produce enormous amounts of data, as much as several gigabytes/sec in some systems. The challenges of generating, storing, processing and reproducing such voluminous...
RF MEMS电容式开关结构层释放技术
RF MEMS 电容式开关 聚酰亚胺 释放
2014/4/23
研究了RF MEMS开关的制造工艺流程和聚酰亚胺牺牲层的去除工艺。在开关的设计和加工中采用在信号线两侧的地线上生长一层绝缘介质层，直流偏置线生成在绝缘介质层之上，与桥的锚点相连接，实现了交直流隔离。讨论了干法刻蚀和湿法刻蚀牺牲层技术。干法刻蚀容易造成绝缘介质层的刻蚀和损伤。采用湿法刻蚀结合临界点干燥技术，可以获得理想的微梁结构。通过测试，开关样品的下拉电压为34-40V，下拉距离为1.7μm±0....
LEHIGH大学黄正民教授来微系统所做RF MEMS专题演讲（图）
LEHIGH大学教授 RF MEMS专题 演讲
2011/11/14
2010年5月19日上午，LEHIGH大学黄正民教授访问微系统所射频与能源微系统技术实验室，并作了主题为Enabling Technology for Cognitive and Software-Defined Radios的演讲。演讲大会由田彤研究员主持，五室和一室的二十多名学生和职工参加了本次讲座。
适用于RF MEMS能量耦合传输的高Q值电感
微电感 MEMS 能量耦合 电镀
2014/5/14
利用MEMS微电镀工艺技术制作了一种新型的适用于RF MEMS能量耦合传输的高Q值电感，采用ANSOFT公司的HFSS优化平面螺旋电感的结构。在具有高电阻率的玻璃衬底上溅射0.5um的铜层作为下电极；PECVD淀积厚度为1umSiO2 作为中间介质层；在介质层上结合厚胶光刻技术电镀厚为22um的铜作为电感线圈。这套电感制作工艺流程简单、易于与IC制备工艺集成。本文制备的微机械电感在微型植入系统中具...
一种RF MEM电感及其LC低通滤波器的模拟和设计
平面MEM电感 LC低通滤波器 等效电路模型 MEMS
2014/5/14
本文模拟并设计了一种基于表面微机械加工的平面MEM电感，提出了它的等效电路模型并给出模型中参数的提取方法。由模拟结果验证了该等效电路具有较高的精度，误差在8%以内。设计的一个3.6nH的平面MEM电感的品质因数超过20，自谐振频率超过15GHz。由平面MEM电感构成的5阶LC低通滤波器的-3dB带宽为3.7GHz，0～3GHz内的插入损耗低于1dB。
一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关
RF MEMS 开关 单刀多掷 接触式
2014/5/14
本文设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷（SP4T）RF MEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅（SiON）作为桥膜的双端固定桥式结构，并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导，1个输入端，4个输出端，4个静电驱动的侧拉桥，以及4个驱动引出区（pad）。测试数据表明，开关驱动电压18.8V；插入损耗S21<0.26dB@DC-3GHz，S31...
串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究
射频 微电子机械系统 串联电容式RF MEMS开关 串联电容式 内应力
2014/5/14
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲，从而提高所设计的开关的隔离度，克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同，解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段(<10GHz)的问题。其插入损耗为-0.88dB...
基于电磁带隙（EBG）技术的RF天线研究与开发
电磁带隙 EBG RF天线
2008/12/18
宽带无线通信移动终端平面天线属于无线通信技术的天线设计领域，其特征在于：天线结构印制在印刷电路板上，包括辐射单元、金属地和馈线，金属地是指印刷电路板两个面中不含天线的辐射单元的那个金属面，包括用来模拟无线通信系统中除天线外的其它部分的矩形金属贴片和一个T形金属贴片。辐射单元包括一个矩形金属贴片、一个三角形金属贴片、两个梯形金属贴片；辐射单元和馈线相连，馈线可以采用微带线也可以采用探针等其它形式，采...
The Potential of Reactively RF Sputtered ZnO Thin Films for the Fabrication of Microwave Filters
Zinc oxide Overmoded resonator Piezoelectric filters BAW
2010/12/8
The piezoelectric properties of reactively sputtered ZnO thin films deposited on glass and silicon substrates were studied in order to assess their potential for the construction of RF overmoded filte...
Influence of Thermal Treatment on The Electronic Properties of ITO Thin Films Obtained by RF Cathodic Pulverization. Study of Solar Cells Based on Silicon/(RF Sputtered) ITO Junctions
ITO Thin Films RF Cathodic Pulverization Solar Cells Silicon/(RF Sputtered) ITO Junctions
2010/12/16
ITO (Indium Tin Oxide) thin films obtained by R.F cathodic sputtering have been studied. The influence of thermal treatment on the electronic properties of the films has been particularly investigated...
Electrical Properties of RF Sputtered NiCr Thin Film Resistors With Cu Contacts
Electrical Properties RF Sputtered NiCr Thin Film Resistors Cu Contacts
2010/12/23
Investigations on RF sputtered NiCr thin film resistors, fabricated using Cu as conductor metallization, were made. The contact resistance characteristics, resistor film characteristics and TCR of the...
