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Low Voltage Squarer Using Floating Gate MOSFETs
Analog signal processing floating gate MOSFETs low-voltage
2010/2/2
A new low-voltage floating gate MOSFET (FGMOS)
based squarer using square law characteristic of the FGMOS is
proposed in this paper. The major advantages of the squarer are simplicity,
rail-to-rail...
电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究
X射线 SOI MOSFETs
2008/10/20
采用10keV X射线研究了部分耗尽SOI MOSFETs的总剂量辐射效应. 实验结果显示，在整个辐射剂量范围内，前栅特性保持良好；而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应. 分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅（BOX/SOI）界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因. 基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论.