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合肥工业大学微电子学院在低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管应用于Hadamard单像素成像领域取得重要进展（图）
合肥工业大学微电子学院 低暗电流 V2CTx/n-Si vdW 肖特基光电二极管 Hadamard 单像素成像 微电子器件 IEEE Electron Device Letters
2023/1/5
近日，合肥工业大学微电子学院安徽省MEMS工程技术研究中心许高斌教授团队于永强课题组针对有广泛应用前景的新型成像技术——单像素成像（single-pixel imaging），设计并制备了用于Hadamard单像素成像的低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管，在不添加任何滤波电路的条件下实现了高质量的128*128像素的成像结果。相关研究成果以“Low dark-current V2...
半导体国际知名媒体专题报道电子科技大学微电子与固体电子学院张波教授团队GaN-on-Si功率器件研究成果（图）
电子科技大学微电子与固体电子学院 张波教授团队 GaN-on-Si功率器件
2016/1/26
近日，电子科技大学微电子与固体电子学院张波教授带领的功率集成技术实验室团队在微电子器件顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上发表题为“7.6 V Threshold Voltage High Performance Normally-off Al2O3/GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering”（界面电荷...
Simulation of Si CMES using synopsys sentaurus TCAD tools
Metal oxide semiconductor mechanical engineering inverter ion implantation model
2014/12/31
This paper is concentrated on the development of a complete complementary silicon MESFET technology. The basic difference between MOS and MES are pointed out and design criteria for CMES inverters usi...
2014年12月2—4日，中国科学院微电子研究所举办了 Si基CMOS器件及光电器件技术高级研讨培训班。本次培训获得了院人事局培训资金的支持，共分六个主题研修内容，分别由中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心四位中组部“千人计划”专家、两位国际知名学者主讲。院内外从事集成电路器件与工艺和硅基光电子器件研究的工程技术人员、科研工作者及研究生共近200人参加了培训。
应变Si/(101)SixGe1-x空穴迁移率
应变Si 各向异性 迁移率
2013/11/2
采用kp微扰理论，基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论，对(101)晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研究．结果表明: 双轴应变Si(101)材料高对称晶向空穴迁移率在应力作用下均有明显增强，其空穴统观迁移率与未应变Si材料相比，最多提高约2倍．文中所得量化模型可为应变Si材料物理的深入理解及应变材料、器件的研究与设计提供有价值的参考．
Hydrogenated amorphous silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT) pixel electrode circuit with a function of current scaling is proposed for active-matrix organic light-emitting displays (AM-OLEDs). In...
We fabricated and characterized the hydrogenate amorphous-silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT) pixelelectrode circuit with the current-scaling function that can be used for active-matrix organic ...
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜，研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响；探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理。通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析，得到最佳工艺条件的碳化温度为1 000 ℃，碳化时间为5 min，生长温度为1 200 ℃，生长速度为4 µm/h。对最佳工艺条件下得到的外延层的台阶...
多层a-Si∶H/a-SiNx∶H薄膜中氢含量的研究
非晶硅 多层膜 退火处理 氢的外扩散
2010/4/2
将PECVD方法制备的多层a-Si∶H/a-SiNx∶H膜在N2气氛中进行不同温度的退火处理后,利用红外吸收谱、核反应方法,次级离子质谱(SIMS)和透射电镜(TEM)对膜中氢从表面渗出及其与温度的依赖关系进行了测试和分析。最后对氢的外扩散现象提出了几种可能的简单解释。
用于高能X光测量的Si-PIN阵列探测器
阵列探测器 高能X光 灵敏度 时空分辨直线感应加速器
2010/4/7
设计了用于高能X光测量的小面积PIN硅光电二极管线列探测器，通过理论计算和EGSnrc蒙卡软件模拟分析了Si-PIN的探测灵敏度、线性电流和时间响应。根据理论研究可知，该探测器适用于大注量率、高能轫致辐射光的空间分辨力（3 mm）和时间分辨力（8 ns）的测量。并在理论设计的基础上进行了部分实验，采用小面积PIN硅光电二极管和放大电路，在“神龙一号”直线感应加速器上进行高能X光的测量,初步得到了P...
α-Si∶H摄象管靶的光谱响应和最佳靶厚
摄象管靶 非晶硅 光谱响应
2009/11/17
用动态系统测量了α-Si∶H靶电压对光谱响应的影响,发现对短波响应影响较大。推导了靶光电流is和饱和电压Vs的计算公式,发现Vs∝[(μp,τp)-1,ω2]。从测量的Vs值,计算了μpτp值。发现它随入照光波长的缩短而减小。估算了对单色光和对白光的最佳靶厚。
差分SPV法测量a-Si:H材料少子扩散长度的数学模型
a-Si:H材料 差分SPV测量 扩散长度
2009/9/23
用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响.本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素.
非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究
EL2 位错 AS沉淀
2009/9/1
测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。
Ge+注入Si1-xGex/Si异质结的退火行为
离子注入 Si1-xGex/Si异质结 退火行为 X射线衍射
2009/8/31
在注入能量为100 keV时,将注入剂量为5.3×1016/cm2的Ge+注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快速热退火,退火温度为700~1 050℃,退火时间为5~30 min。对样品的(004)和(113)面X射线衍射数据进行计算和分析,得出退火温度为1 000℃、退火时间为30 min为最佳退火条件。在此退火条件下,假设固相外延生长为赝晶生...
Extremely Short Period Melting and Solidification of Si Film in Laser Annealing and Properties of Poly-Si Film
Laser annealing Supercooling Phase transformation
2009/6/9
Extremely short period melting and solidification of Si thin film induced by laser annealing is observed by in-situ monitoring techniques of transient reflectance and conductance measurements. The tem...
