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在嵌入式系统中,Nand Flash因具有写入速度快、密度大的特点,因此特别适合用作大容量数据存储。但是在系统处理一些大量的视频数据和其他高分辨率数据存储的时候,Nand Flash的擦除和写性能难以满足要求。分析并实现了一种利用多片编程来提高Nand Flash擦、写性能的方案。实验中采用4片编程技术,结果表明,该方案可以将Nand Flash的写速率提高75.60%,擦除速率提高74.95%。
2007年在全球NAND型快闪记忆体(Flash)市场竞局大多处于苦苦追赶状况的海力士(Hynix),为能在2008年与东芝(Toshiba)、三星电子(Samsung Electronics)一较高低,于2007年投入大量研发资源在57奈米制程技术,不过,在量产不到1季便将提前下台,海力士48奈米制程已确定在2008年第1季开始量产,这样进度将较2大龙头大厂三星及东芝足足快上半年,足见海力士亟欲...

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