搜索结果: 1-6 共查到“电子科学与技术 瞬时”相关记录6条 . 查询时间(0.023 秒)
中国科学院地理科学与资源研究所专利：一种从被动微波数据估算瞬时地表发射率的方法。
基于方向性S变换的多分量FM信号瞬时频率估计
瞬时频率估计 方向性S变换 多分量调频信号 变趋势窗
2013/5/29
针对复杂多分量调频信号的瞬时频率估计问题，提出一种基于方向性S变换的瞬时频率估计方法。首先，在S变换中引入变趋势窗，有效改善了高频区的频率分辨率；其次，提出了方向性S变换，该变换在引入方向性参数的基础上，利用最大化准则实现了复杂调频信号的时频方向匹配；最后，由于传统时频脊线及相应的均方根误差准则无法适用于多分量信号瞬时频率估计的性能评估，提出一种基于支撑域的置信度准则。仿真实验通过线性与非线性的多...
一种联合极化的距离瞬时多普勒ISAR成像方法
极化逆合成孔径雷达 距离瞬时多普勒 极化解调频Clean
2013/5/13
在传统的逆合成孔径雷达(inverse synthetic aperture radar, ISAR)成像中，基于Clean技术的距离瞬时多普勒ISAR成像能够有效地提取散射点中心，因此得到了广泛应用。相比于传统ISAR，极化逆合成孔径雷达(polarimetric inverse synthetic aperture radar, Pol ISAR)能够提供更丰富的信息。本文研究了一种联合极化的...
γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响
脉冲宽度 辐射效应 剂量率
2009/9/29
采用了2种γ脉冲辐射源，在脉冲宽度分别约为20，50，150 ns，剂量率为106～109 Gy(Si)·s-1下,对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析，比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明：脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素，γ脉冲宽度越宽，辐照响应越强，分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。
反熔丝FPGA延时电路γ瞬时辐射效应
反熔丝FPGA 延时电路 辐射效应
2009/2/18
简要叙述了反熔丝FPGA的基本结构，介绍了一种FPGA延时电路的工作原理以及利用该电路在“强光一号”脉冲加速器上进行γ瞬时辐照试验的方法，给出了试验测量结果。分析表明：高剂量率γ瞬时电离辐射会破坏FPGA延时电路一个信号周期的工作状态，因此存在功能失效的可能性。但就整体而论，反熔丝FPGA抗瞬时辐射的性能要优于其它许多大规模CMOS集成电路。