搜索结果: 1-15 共查到“工学 Nand”相关记录22条 . 查询时间(0.087 秒)
Enhanced Search And Efficient Storage Using Data Compression In Nand Flash Memories
Nand Flash Search data deduplication MISR
2014/12/8
NAND flash memories are popular due to their density and lower cost. However, due to serial access, NAND flash memories have low read and write speeds. As the flash sizes increase to 64GB and beyond, ...
无缝坏块处理与流水编程的NAND型内存控制器设计与实现
NAND型内存控制器 固态存储器 坏块处理机制 流水存储机制
2016/7/15
为满足航天大容量存储系统对高速存储及数据完整的需求，实现了一个基于NAND型内存的高性能控制器，提出了一种实现于NAND型内存芯片内部的流水编程机制，以及一种可以保证数据无缝连接的坏块处理机制。介绍了存储控制器的各个模块设计，并分析了不同情况编程机制所需的时间计算方法，建立仿真模型，利用蒙特卡洛方法仿真并讨论了流水编程机制的性能优化效果。在实际硬件平台验证了流水编程机制和坏块处理机制，结果表明该大...
无缝坏块处理与流水编程的NAND型内存控制器设计与实现
NAND型内存控制器 固态存储器 坏块处理机制 流水存储机制
2016/5/31
为满足航天大容量存储系统对高速存储及数据完整的需求，实现了一个基于NAND型内存的高性能控制器，提出了一种实现于NAND型内存芯片内部的流水编程机制，以及一种可以保证数据无缝连接的坏块处理机制。介绍了存储控制器的各个模块设计，并分析了不同情况编程机制所需的时间计算方法，建立仿真模型，利用蒙特卡洛方法仿真并讨论了流水编程机制的性能优化效果。在实际硬件平台验证了流水编程机制和坏块处理机制，结果表明该大...
基于固态硬盘的RAID-6阵列,在每次数据更新时,都需要计算和写入校验信息,降低了阵列的性能和缩短了固态硬盘的使用寿命,该论文提出了一种基于延迟写入校验信息策略的RAID-6,称为PRAID-6.在每次数据更新时,PRAID-6只计算部分校验信息,写入非易失性存储器P-Cache.在垃圾回收时,将部分校验信息与原校验信息合并,产生新的校验信息,写入固态硬盘.通过实验测试结果表明PRAID-6的响应...
NAND Flash高速图像记录压力测试系统
图像记录 NAND Flash 压力测试系统 稳定性 爬山搜索
2016/9/1
为了测定NAND Flash 图像记录系统的稳定性以及峰值记录速度指标，减少人工测试量，设计了压力测试系统。针对稳定性测试问题，设计了基于指数回归的速度压力模型和基于对数正态分布的测试时长控制模型；针对峰值记录速度测定问题，提出了基于爬山搜索算法和速率二分法的软硬件协同测试方法。基于有效数据占空比机制设计速率软件可调的硬件数据产生器，用爬山算法粗略确定峰值记录速度区间，再用速率二分法逼近峰值记录速...
针对空间相机中的图像存储器NAND Flash由于坏块和单粒子翻转导致存储数据不可靠的问题,研究了Flash坏块的管理策略和纠错算法。分析了Flash结构和工作特点,提出了基于并行双遍历机制的坏块管理策略,阐述了双遍历机制的设计思想并分析了它的有效性。在分析Flash结构和纠错特点的基础上,提出了在域GF(28)上的缩短码RS(246,240)+RS(134,128)纠错算法,并说明了编解码算法思...
据IC Insight的2011年IC Market Drivers最新版本(11月公布)，全球智能手机芯片市场在2010-2014年的年均增长率CAGR达到20%。
2010年NAND闪存营收将创新纪录（图）
NAND闪存 营收 纪录
2011/10/31
预计2010年NAND闪存营业收入将达到187亿美元，比去年的135亿美元劲增38%，部分利益于智能手机和苹果iPad等消费电子产品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需双双增长，2011年NAND闪存市场将继续增长，尽管不及今年强劲。
美光NAND产品获HLDS全球首款具有板载储存的混合光驱采用.doc（图）
HLDS 全球 储存 混合光驱
2011/10/31
美光科技 (Micron Technology) 10 月27日宣布，美光获奖的25nm NAND 已获日立LG数据储存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 简称 HLDS) 采用作为其新型混合光驱 (ODD) 的闪存解决方案。此款采用美光 25nm NAND 技术的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量储存和可修改功能，是针对个人计算机、DVD 播放器和...
传东芝投资22亿美元扩大NAND闪存产能
投资 扩大 闪存 产能
2011/11/3
国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元（约合22亿美元）扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。
基于FPGA的NAND Flash坏块处理方法
闪存 现场可编程门阵列 坏块
2010/3/22
针对NAND Flash在存储数据时对可靠性的要求，分析传统坏块管理方式的弊端，提出一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的坏块处理方案，采用在FPGA内部建立屏蔽坏块函数的方法屏蔽坏块。该方法彻底屏蔽对坏块的操作，可以实现对Flash的可靠存储。实际工程应用证明其具有较高的可靠性。
美光科技有限公司（纽约证券交易所股票代码：MU）今天宣布，其管理型NAND解决方案组合支持新批准的JEDEC e?MMC 4.4 标准。针对移动应用，美光的 e?MMC 4.4 产品现在提供更多的安全选项和NAND分区管理，使手机制造商能够迅速、容易地过渡到NAND提供的新功能。美光目前正在接受7月份交货的样品订单，预计将在2009年秋季做好批量生产准备。 通过将NAND和闪存控制器集成到一个封装...
美光推出新型34纳米高密度NAND产品，既提高了性能，又降低了芯片尺寸
34纳米 高密度 NAND
2009/8/4
美光科技有限公司（纽约证券交易所股票代码：MU）今天宣布使用其屡获殊荣的34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。随着消费者需要更高的容量以便在越来越小的便携式电子设备中存储更多的音乐、视频、照片及应用程序，制造商需要一种存储解决方案，以实现所需的容量、性能和尺寸。美光的新型16Gb和32Gb的NAND芯片兼具大容量与高性能，为满足当今苛刻的便携式存储需求提供了令人信服的解决方案，该解决方案...
提高Nand Flash性能的方法
Nand闪存 多片编程 擦除和写性能
2009/7/10
在嵌入式系统中，Nand Flash因具有写入速度快、密度大的特点，因此特别适合用作大容量数据存储。但是在系统处理一些大量的视频数据和其他高分辨率数据存储的时候，Nand Flash的擦除和写性能难以满足要求。分析并实现了一种利用多片编程来提高Nand Flash擦、写性能的方案。实验中采用4片编程技术，结果表明，该方案可以将Nand Flash的写速率提高75.60%，擦除速率提高74.95%。