搜索结果: 1-15 共查到“工学 IGBT”相关记录66条 . 查询时间(0.261 秒)
IGBT并联应用均流控制技术综述
IGBT 并联 均流控制 电流不平衡
2024/3/5
绝缘栅双极型晶体管IGBT（insulated-gate bipolar transistor）在现代电力电子技术中应用广泛,在某些单个器件性能达不到设计要求的工作场合,IGBT的并联使用成为一种经济可行的方法。多模块IGBT并联应用可以简化电路结构,增大变流器输出功率,提高装置功率密度。IGBT并联应用过程中,器件本体的动、静态特性及结温的差异,驱动电路结构及功率回路不对称性,伴随IGBT长期使...
IGBT在关断过程中所发生的动态雪崩现象是导致其失效的重要原因之一。为研究IGBT动态雪崩失效机理,利用Silvaco软件对其进行仿真分析。通过对动态雪崩击穿机制、电流密度分布和温度分布的仿真分析,得出动态雪崩可以产生移动的电流丝和移动十分缓慢或固定不动的“死丝”。引起器件失效的是动态雪崩形成的死丝,死丝会导致IGBT内局部温度的急剧增加,最终因局部温度过高烧毁器件导致IGBT的失效。在此基础上分...
中国科学院微电子研究所专利：逆导IGBT器件结构及制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 逆导 IGBT器件结构
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：逆导IGBT器件结构及制造方法
逆导型IGBT电压回跳现象在电路应用中的影响分析
逆导型IGBT 回跳现象 并联均流测试 软开关测试
2024/3/11
逆导型IGBT（RC-IGBT）是一种新型功率半导体器件,实现了IGBT和续流二极管的片内集成,具有体积小、成本低、功率密度高、正温度系数、良好的功率循环能力和关断特性等诸多优势。RC-IGBT正向导通时存在电压回跳现象,建立物理模型详细分析其产生机理及影响因素,得出了缓冲层掺杂浓度是决定回跳电压大小的重要因素。进一步通过控制变量法,利用TCAD仿真软件,从导通特性、并联均流特性和开关特性三个方面...
2023年4月26日，由中科院高能物理研究所济南研究部（济南中科核技术研究院）自主研发的全自动IGBT缺陷X射线三维检测设备正式亮相功率半导体行业联盟第八届国际学术论坛。该设备依托X射线计算机层析成像（CL）技术和先进的缺陷智能检测软件算法，为IGBT模块封测提供了全新的无损检测解决方案。
基于IGBT的频率叠加型高压脉冲电源的研究
高压脉冲电源 频率叠加 开关频率限制 现场可编程逻辑门阵列
2024/3/12
针对高压脉冲电源的高压高频以及脉宽的特殊需求,采用频率叠加理论提出了一种基于绝缘栅双极晶体管IGBT（insulated gate bipolar transistor）的频率叠加型高压脉冲电源。该脉冲电源通过对传统高压脉冲电源的改进,解决受IGBT和二级管模块的开关频率限制而脉冲电源无法同时实现高压、高频问题。通过对理论的分析以及使用Matlab/Simulink软件进行仿真验证,仿真结果表明改...
IGBT用耐高温有机硅凝胶的研究进展（图）
器件绝缘封装 绝缘灌封材料 热稳定机理 耐高温改性有机硅凝胶
2023/8/14
随着绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)不断地向高电压、大功率方向发展，器件绝缘封装的问题也变得更为重要。由于普通线性有机硅凝胶在高温环境下长期使用后会出现黄变、开裂等现象，导致IGBT模块的工作可靠性下降，使其工作寿命大大减少，因此，寻找一种具有更加优良性能的有机硅绝缘灌封材料是十分急切和关键的，也对于目前和未来IGBT的发展具有极其...