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300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料，对集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求，亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题，进而开发大直径单晶晶体生长技术，实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控，满足射频、存储等领域的应用需求。
上海微系统所在300mm大硅片晶体生长的数值模拟研究方面取得重要进展（图）
大硅片晶体 数值模拟 集成电路
2023/12/3
300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料，对整个集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对我国集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求，亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题，进而开发大直径单晶晶体生长技术，实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控，满足射频、存储等领域的应用需求。
Maxim 300mm晶圆生产线已开始出货（图）
晶圆 生产线 出货
2011/10/31
Maxim按照与Powerchip Technology Corporation晶圆厂的代工协议，在300mm晶圆生产线上采用其先进的180nm BCD模拟工艺技术(S18)。从而奠定了Maxim在模拟市场上的战略优势，以极高的资本效率的生产模式快速应对不断变化的市场需求。自主生产与外部代工相结合扩展了Maxim的多渠道晶圆生产模式。Maxim早在2007年与Seiko Epson合作时即遵循了这...
美光Intel将重启新加坡300mm闪存芯片厂兴建计划
闪存芯片厂 兴建计划
2011/11/3
据Lazard资本市场公司的分析师DanielAmir预计，美光与Intel的合资闪存公司IMFlash将继续进行新加坡300mm闪存芯片厂的兴建计划。该公司早些时候曾宣布会在新加坡新建这家300mm芯片厂，不过后来公司宣布由于业务方面的原因暂缓执行这项计划。目前IMFlash公司旗下仅在犹他州拥有一间300mm芯片厂。
300mm掺氮直拉硅片的原生氧沉淀径向分布
300mm掺N直拉Si片 原生氧沉淀 径向分布
2008/10/29
采取从某一温度（600~1000℃）开始缓慢升温至高温（1150℃）并保温若干时间的方法，使得直拉Si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大，然后通过傅里叶红外光谱测量氧浓度变化以及利用扫描红外显微术测量氧沉淀密度. 通过这样的方法，定性地研究了300mm掺N直拉Si片的原生氧沉淀的径向分布. 研究表明：氧沉淀异常区域（称为P区）的原生氧沉淀密度显著高于空位型缺陷区域（称...
φ300mm激光干涉仪
激光干涉仪 面形精度 光学零件表面质量 平面光学零件检测
2008/10/15
该干涉仪包括如下部件，即分光部件；激光光源；发光二极管光源；成像系统；比例成像部件；电子图像记录部件。该干涉仪可用于检测平面光学零件的表面质量和面形精度。该干涉仪可一次检测直径30～300mm的平面表面。该干涉仪应用范围广，具有不错的市场前景。
奥地利EV Group（EVG）宣布，为形成手机用相机模块高耐热镜头，芬兰Heptagon Oy采用了EVG的光刻机(Mask Aligner)“IQ Aligner”。EVG高级副总裁Hermann Waltl表示，Heptagon采用的是支持300mm晶圆的装置。该装置已提供给Heptagon的制造子公司——新加坡Heptagon Micro-Optics Pte。
Samsung与Siltronic在新加坡正式启动300mm晶圆厂项目
新加坡 启动 晶圆厂 项目
2011/11/3
本周，由 Samsung Electronics和Siltronic共同投资10亿美元的300mm晶圆厂项目Siltronic Samsung Wafer Pte Ltd在新加坡正式启动。早在2006年7月，Samsung和瓦克化学（Wacker Chemie）的子公司Siltronic就宣布了合资计划；本周该计划正式启动，2008年8月份开始动工，预计到2010年月产能达到30万片，同时将雇佣超...
俄罗斯“旋风”300mm火箭炮
俄罗斯“旋风”300mm火箭炮
2010/12/6
“旋风”300mm火箭炮（也称BM-30、“龙卷风”）是俄罗斯军队装备最现代化、最新型的远程多管火箭炮。该炮二十世纪80年代前后研制，1987年装备部队。系统组成包括：发射车、安装有吊车和装填装置的运输装填车、杀伤爆破火箭弹。每门炮配有1辆弹药车，装有专用装填起重机和12发火箭弹，可在20分钟内装填完毕。使用的火箭弹包括带破片杀伤子弹药的集束式火箭弹、带可分离战斗部的杀伤爆破火箭弹和带自动瞄准子弹...