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HgCdTe中特征正电子湮没寿命值的确定正电子湮没碲镉汞半导体缺陷汞空位 2008/1/26

提出了一种新的在热平衡状态下实时测量碲镉汞(MCT)中特征正电子湮没寿命的方法,用该方法测得HgCdTe中基体正电子湮没寿命τb为277±1Ps,汞空位缺陷捕获态寿命τd为306±2ps,并与用其它方法测量的结果进行了比较与讨论.