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在热电研究领域，GeSe是一种二维层状结构具有较大带隙的半导体，本征载流子浓度低，热电性能差。在本工作中，采用熔融淬火结合放电等离子活化烧结工艺制备了一系列的GeSe1–xTex（x=0，0.05，0.15，0.25，0.35，0.45）多晶样品，研究了Te含量对GeSe化合物物相结构和热电输运性能的影响规律。结果表明：随着Te含量的增加，GeSe的晶体结构逐渐由正交相向菱方相转变，使得材料的带隙...
