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中国科学院微电子所在IGZO 2T0C DRAM多值存储领域取得重要进展（图）
电路 器件 晶体
2024/2/28
IGZO薄膜晶体管（TFT）由于其极低的关态电流、较高的迁移率和低温工艺，在新型DRAM的应用中备受关注。与传统的硅基1T1C DRAM相比，IGZO 2T0C DRAM具有能够实现多值存储的优势，该优势可提高各个单元的有效存储密度。但目前基于该方面的研究仅实现了单个存储单元的多值存储功能验证，以及多个单元间SN电压的均一性，仍需要较为复杂的外围电路来解决读取晶体管之间阈值电压变化的问题。
中国科学院广州地化所提出黏土矿物高值利用新方法（图）
黏土矿物 晶体化学
2024/1/7
黏土矿物是一类具有典型层状结构的含水铝硅酸盐矿物，因特殊的晶体化学特征（SiO2含量可达60%）及独特的天然纳米层状结构，广泛应用于工农业生产各个方面，是重要的非金属矿产资源。我国黏土矿物资源储量丰富、廉价易得，有明显的资源优势，但目前我国黏土矿物资源利用水平却较低，产品附加值不高，急需实现黏土矿物高值利用基础理论与关键技术的突破。低碳经济和我国“双碳”战略的时代背景下，以锂电池为代表的新能源经济...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 快速鉴别 辐射后 碳化硅 垂直双扩散 晶体管寄生电容 超出预值
2023/12/19
本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运...
磁矩的量值溯源标定研究取得突破（图）
磁矩 量值溯源 标定
2023/2/23
磁矩，是磁铁或载流体提供磁场能力的一种度量，得自其中所有闭合电流与回路面积相乘并矢量求和。关注和应用好磁矩，事关我们手机中的时钟更加精准(让原子钟的磁矩不受干扰)，事关我们更早且更加清晰的看到体内发生的病变(核磁共振成像)，事关我们用上更加绿色高效的电动车与发电机(高性能稀土永磁电机)，事关我们从源头获知太阳与地球的演化规律并对灾害进行预测与防范(行星磁天气)……。由于未发现直接关联频标的量子效应...
矩形截面超导线圈的径高比对最大磁场点位置和幅值的影响分析
超导线圈 径高比 最大磁场 单积分法
2022/3/18
为了充分利用超导线材的载流能力，需要精确计算超导线圈产生的最大磁场值，还需要明确最大磁场值所处的具体位置。其中，最大磁场点的位置主要由线圈的形状（径高比）决定。本文基于单积分法并通过MATLAB编程，将矩形截面线圈的径高比α和β参数化，计算分析线圈内壁边上和端面边上各点磁场的变化趋势。同时，利用电磁场有限元软件ANSYS，对矩形截面线圈的空间磁场进行仿真分析，得到线圈的内壁磁场系数、端面磁场系数和...
合金扩散参量二极管的优值
2007/12/12
具有较高电容-电压非线性的合金扩散参量二极管,自1958年提出后已受到重视,但迄今缺乏认真的分析。本文在全面考虑优值的基础上,作了仔细的普遍探讨,与合金结进行对比,给出了有关特性的估价。