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利用晶体结构工程提升GeSe化合物热电性能的研究
GeSe 晶体结构工程 热电性能 半导体
2022/3/11
在热电研究领域，GeSe是一种二维层状结构具有较大带隙的半导体，本征载流子浓度低，热电性能差。在本工作中，采用熔融淬火结合放电等离子活化烧结工艺制备了一系列的GeSe1–xTex（x=0，0.05，0.15，0.25，0.35，0.45）多晶样品，研究了Te含量对GeSe化合物物相结构和热电输运性能的影响规律。结果表明：随着Te含量的增加，GeSe的晶体结构逐渐由正交相向菱方相转变，使得材料的带隙...
Electronic Structure of Surfaces in GeSe Layered Semiconductor
Green´ s function methods Defects Single crystal surfaces Surface defects
2010/4/9
Green´s function method in bases sets of Linear Combinations of Atomic Orbitals (LCAO) is used to calculate the electronic structure of the (010) surface of GeSe semiconductor. The energy states...