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本发明涉及场发射电子材料领域,特别提供了一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法。该方法包括:(1)采用超声方法将石墨烯与可以提供电荷的金属阳离子无机盐均匀分散在极生较低的有机溶剂中,或将石墨烯直接分散在离子型表面活性剂的水溶液中,制备出稳定的带电荷的石墨烯溶液;(2)在外加电场作用下,利用电泳沉积方法将带有电荷的石墨烯有序沉积在导电基板上,制备出石墨烯薄膜。本发明场发射材料为均匀致密、由富含垂直于表面...
本发明涉及全钒氧化还原液流电池隔膜领域,具体地说是一种适用于全钒氧化还原液流电池的全氟磺酸复合质子交换膜的制备方法,解决现有技术中存在的质子交换膜稳定性较差、工艺复杂、价格昂贵等问题。以全氟磺酸树脂为原料,通过极性溶剂溶解,形成全氟磺酸树脂溶液;将聚丙烯镍氢电池用隔膜做为增强膜与全氟磺酸树脂溶液混合采用分步流延法、涂浆法、浸胶法等成膜方法来制备全氟磺酸/PP全氟磺酸复合质子交换膜。本发明制备的复合...
中国科学院金属研究所专利:柔性碳纳米管透明导电薄膜材料的制备方法
本发明涉及叠层膜的制备技术,具体为一种不仅具有优良耐磨、耐腐蚀性能,而且与基体材料结合强度高、可抑制裂纹的产生与扩展的电镀Cu叠层膜及其制备方法,解决为提高Cu镀层与基体材料的结合力而采用氰化物镀铜时产生的剧毒污染问题。本发明采用电镀工艺并间歇导入超声波的技术,制备了一种铜叠层镀膜,其制备方法:经过除油、净化处理的金属基底材料,进行电镀Cu叠层镀膜,当铜叠层镀膜达到所需要的厚度时,取出清洗干净并进...
中国科学院金属研究所专利:柔性电子基板上薄膜材料可靠性原位测试系统及方法
本发明涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术,具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置及方法,一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜;一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题,实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室,工件转架置于磁控溅射真空室中,靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中,中频脉冲磁控溅射电源的阴极与...
本发明涉及阳极氧化铝膜的制备技术,具体为一种制备小孔径、超薄、孔径和厚度可控的通孔阳极氧化铝膜的方法。以高纯铝为阳极,在硫酸的电解液中施加一定的恒压直流电源进行阳极氧化,选择适当的阴阳极间电压、电解液浓度、电解液温度及阳极氧化时间,反应后将带有铝基体的阳极氧化铝作为阳极,置于高氯酸和丙酮的混合液中,在高于阳极氧化电压5-15V的电压下阳极电解处理,使氧化铝膜与铝基体分离且同时去除阻挡层,从而得到小...
中国科学院深圳先进技术研究院专利:铜铟镓硒薄膜制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:阴膜浮动式超高真空粉末成型装置
中国科学院合肥物质科学研究院专利:尺寸可控的纳米级银颗粒镶嵌在钛酸钡薄膜中的制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:活塞式真空粉末成型装置
本发明提供了一种在多孔载体表面化学镀钯及其合金膜的化学活化方法,即对无催化活性的载体进行活化处理,然后经化学镀进行金属沉积的方法,主要解决传统化学镀活化工艺中存在的锡离子干扰,操作复杂等问题。采用了由表面活性剂分散的PdCl2酸性溶液作为活化液,采用无毒无害环境友好的抗坏血酸的酸性溶液作为还原剂,使活性金属组分被还原并沉积在载体表面形成高分散的金属微粒和金属粒子生长的晶核。然后将活化的载体直接置于...
本发明属于半导体材料领域,是一种微晶硅薄膜的制备方法。具体是在玻璃基板上沉积的非晶硅薄膜表面采用激光表面晶化的方法制备一薄层微晶硅层的方法。将直接沉积在玻璃板上的非晶硅薄膜,用激光加热晶化的方法使非晶硅薄膜部分转化为微晶硅;所用的激光加热晶化的方法是将非晶硅薄膜样品置于激光器的样品台上,用激光束进行照射,非晶硅薄膜吸收了激光的能量转换为自身能量,发生局部熔化再结晶,经表面晶化处理使得非晶硅转变为微...
本实用新型属于薄膜制备领域,具体地说是一种用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置,包括冷凝剂输入管、冷凝剂输出管、法兰盘、绝缘垫圈及样品台,其中法兰盘通过绝缘垫圈密封安装在电弧离子镀炉体上,所述冷凝剂输入管及冷凝剂输出管的一端分别安装在法兰盘上,并由法兰盘穿出分别与外部流速可控的冷凝剂循环系统的进、出水口连接,冷凝剂输入管及冷凝剂输出管的另一端连接有样品台,该样品台及法兰盘以下的部分冷凝剂输入管和冷...
本发明属于薄膜制备领域,具体地说是一种用于电弧离子镀沉积磁性材料涂层的复合结构靶材的设计及其应用。复合结构靶材为靶壳及磁性材料靶材构成,靶壳紧固于磁性材料靶材外围;其中,靶壳为低饱和蒸气压和低二次电子发射产额的金属靶壳;或者,靶壳为陶瓷相材料层依附于可加工金属环上形成的靶壳,可加工金属环紧固于磁性材料靶材外围,陶瓷相材料层依附于可加工金属环在与磁性材料靶材的靶面平行方向的面上。本发明解决了电弧离子...

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