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中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种等离子体接枝制备碱性阴离子交换膜的方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种聚合物碱性阴离子交换膜的制备方法
本发明涉及一种反应磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法，通过对传统磁控溅射技术的改进，在真空室内引入一等离子体区域，采用中频脉冲直流或直流溅射溅射Ti金属靶，并控制工作气体压强、温度、时间、溅射功率等工艺条件，在衬底上沉积TiN薄膜。使用本方法可以在低温环境下性能良好的TiN薄膜，薄膜的结晶度、致密性及硬度得到提高，表面粗糙度小，薄膜与衬底有较高的结合力，很难产生局部脱落。本发明可以为硬质薄膜的实验研...
本发明具体涉及一种多孔氧化铝载体支撑的沸石咪唑酯骨架结构ZIF-8膜的制备方法。所发明方法以离子液体或低共熔混合物为反应介质，在氧化铝多孔载体表面合成沸石咪唑酯骨架结构ZIF-8膜。通过本方法制备的ZIF-8膜具有良好的气体渗透分离性能。本发明方法的特点是在离子热环境中进行ZIF-8膜的合成，克服了溶剂热或水热合成ZIF-8膜过程中的系统自生压力。本发明方法具有环境友好，操作简便的优点。
本发明涉及一种表征聚电解质水凝胶平板膜厚度的改进方法。将荧光标记的聚阳离子（或/和聚阴离子），通过静电作用形成聚电解质水凝胶平板膜，在确定激光共聚焦扫描显微镜gain值和offset值之后，借助激光共聚焦扫描显微镜，对平板水凝胶膜的Z轴进行层层扫描，可得到一系列的层扫照片，再对层扫照片进行荧光强度定量，会得到荧光强度与Z轴步进值的关系曲线，再对曲线进行分段拟合及分段求导，导数最大值和最小值所对应Z...
本发明公开了一种光驱动快速制备膜电极的方法、装置及应用，将担载有金属大环化合物的聚合物电解质膜置于反应装置中，向反应池中加入铂金属前驱体和还原剂的混合溶液，在光照条件下铂在聚合物电解质膜上快速成核生长，获得膜电极。此方法工艺简单，可快速制备膜电极，重复性好，易于量产膜电极。
拓扑绝缘体由于具有受时间反演保护的拓扑表面态而展现出许多新奇特性，例如量子自旋霍尔效应、磁掺杂时的量子反常霍尔效应以及在拓扑/铁磁异质结中的非局域磁阻尼贡献等。这种拓扑表面态通常寄宿在样品表面约几个纳米左右的深度中，因此具有较大表面占比的超薄膜是放大这些新奇特性的理想体系。然而，随着厚度的减薄，薄膜上、下表面中的表面态会在空间上产生重合并相互耦合。以往理论工作计算了典型的狄拉克拓扑材料Bi2Se3...
本发明涉及钒电池领域,具体为一种钒电池所用质子交换膜钒(Ⅳ)离子渗透率的测试方法和装置。采用进出液方向垂直隔膜液流方式进行测试,测试采用两个半池进行：右半池中为钒IV离子溶液,左半池中为MgSO4溶液,中间以待测隔膜隔开,两个半池中的溶液分别在外接泵的作用下,分别从流液框的正面进液口垂直于隔膜流入,再分别从进液口两侧的出液口垂直隔膜流出,进行循环流动,利用紫外分光光度计测左半池中钒离子IV的浓度。...
本发明涉及硅薄膜材料的制备领域,具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置。利用中频磁控溅射法,采用中频电源激发等离子体来溅射与外加电磁线圈形成耦合磁场的非平衡态孪生磁控硅靶,在基体上沉积纳米硅薄,采用真空泵组,将真空室内真空抽至10-3-10-4Pa,并对基体加热使基体温度在400-540℃之间,沉积纳米硅时采用Ar气溅射,由电离规管测量气压值,整个沉积过程中气压控制在0.2-...
本发明属于薄膜制备领域,具体地说是一种用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置及其应用,冷却装置包括冷凝剂输入管、冷凝剂输出管、法兰盘、绝缘垫圈及样品台,其中法兰盘通过绝缘垫圈密封安装在电弧离子镀炉体上,所述冷凝剂输入管及冷凝剂输出管的一端分别安装在法兰盘上,并由法兰盘穿出分别与外部流速可控的冷凝剂循环系统的进、出水口连接,冷凝剂输入管及冷凝剂输出管的另一端连接有样品台,该样品台及法兰盘以下的部分冷凝...
中国科学院金属研究所专利：一种全钒液流电池用共混膜及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 全钒液流电池 共混膜
2023/9/1
本发明涉及全钒氧化还原液流电池(VRB)用离子交换膜领域,特别涉及一种全钒液流电池用共混膜及其制备方法。按重量百分比计,全氟磺酸离子交换树脂含量为A,磺化聚苯并咪唑的含量为B,其中：75%。