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有机无机金属卤化物钙钛矿材料凭借高的载流子迁移率在晶体管研究中引起广泛关注，2023年来钙钛矿场效应晶体管（PeFET）在探测器和突触中的应用已得到深入研究。然而，基于PeFET的突触仍然很难将优异的载流子传输能力、光敏性和非易失性存储效应集成到一个器件中，制约了进一步开发仿生电子器件和边缘计算。
国外研究表明手性磁体材料可提高类脑计算适应性
手性磁体材料 类脑计算 适应性
2024/1/12
英国伦敦大学学院、伦敦帝国理工学院领导的国际合作研究表明，利用手性（扭曲）磁体的内在物理特性，可提高机器学习任务适应性，大幅减少类脑计算的能源使用。研究结果发表在《自然·材料》杂志上。
本发明涉及一种化合物氟硼酸钾铯碘和氟硼酸钾铯碘非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为Cs2KB8O12F2I，分子量为748.40，采用真空封管制成；该晶体化学式为Cs2KB8O12F2I，分子量为748.40，属于三方晶系，空间群为R32，单胞参数为a=6.5911(1)Å,b=6.5911(1)Å,c=30.6160(11)Å,Z=3；采用真空封管制备...
本发明涉及一种化合物硼酸锌钙和硼酸锌钙非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为CaZn2(BO3)2，分子量288.44，采用固相反应法合成化合物，该晶体的分子式为CaZn2(BO3)2，分子量288.44，正交晶系，空间群Aba2，晶胞参数为a=11.7579(7) Å，b=8.5721(4) Å，c=4.9421(3) Å，Z=4，V=498.11(5)...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钛酸锶钡薄膜材料及制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 钛酸锶钡 薄膜材料
2023/12/13
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钛酸锶钡薄膜材料及制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：封闭式双晶体可调温控盒
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 封闭式 双晶体 可调温控盒
2023/12/12
中国科学院合肥物质科学研究院专利：封闭式双晶体可调温控盒
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钽酸盐的提拉法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 钽酸盐 提拉法 晶体生长方法
2023/12/12
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钽酸盐的提拉法晶体生长方法
本发明涉及一种深紫外波段的硼酸铷钡双折射晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为Rb5Ba2B21O36，分子量为1505.02，属三斜晶系，空间群为P，晶胞参数为a=6.7686(7)Å，b=11.0035(12)Å，c=11.2465(11)Å，α=99.443(4)°，β=90.790(4)°，γ=99.855(4)°，Z=1，V=813.32(15)Å...
本发明涉及一种氟化硼磷酸铵化合物和氟化硼磷酸铵非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的分子式为(NH4)3B11PO19F3，分子量为565.01，采用固相法制成；该晶体的分子式为(NH4)3B11PO19F3，分子量为565.01，该晶体属三方晶系，空间群为R3，其晶胞参数为a=b=11.3782(17)Å，c=11.912(3)Å,Z=3，α=β=90°，γ=120°，V...
本发明提供一种化合物低温相九硼酸锂锶和九硼酸锂锶非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为LiSrB9O15，分子量为431.85，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为LiSrB9O15，分子量为431.85，属于正交晶系，空间群为P212121，晶胞参数为a=8.5432(5)Å，b=8.6390(4)Å，c=14.8622(8)Å，α=β=γ=...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种气流交换器的透气膜装置
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 气流交换器 透气膜装置
2023/12/8
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种气流交换器的透气膜装置
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种多磁性目标的定位方法及定位系统
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种氟硼酸铯晶体的生长方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 氟硼酸铯晶体
2023/12/7
本发明涉及一种氟硼酸铯晶体的生长方法，该方法用熔体法生长晶体，通过在氟硼酸铯原料中添加降粘剂，使得高温熔体的粘度大大降低，同时由于降粘剂在熔体法生长氟硼酸铯晶体中的分凝系数远小于1，因此通过温场调控手段使得晶体实现微凸界面生长可以将降粘剂在生长界面处排到熔体中，从而使晶体生长更易进行，更易获得较大尺寸的晶体以及晶体生长效率更高，实现氟硼酸铯晶体的工业应用。
本发明涉及一种化合物六羟基氯四硼酸铯和六羟基氯四硼酸铯双折射晶体及制备方法和用途，该化合物的分子式为Cs[B(OH)3][B3O3(OH)3]Cl，分子量为361.65，采用温和的溶剂蒸发法制成，该晶体化学式为Cs[B(OH)3][B3O3(OH)3]Cl，分子量为361.65，属于单斜晶系，空间群是P21/c，晶胞参数a=8.3917(3)Å，b=11.9993(4)Å，c=...
本发明涉及一种化合物三羟基氯三硼酸铯和三羟基氯三硼酸铯双折射晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为CsB3O3(OH)3Cl，分子量为299.81，采用温和的溶剂蒸发法制成。该晶体化学式为CsB3O3(OH)3Cl，分子量为299.81，属于单斜晶系，空间群是P21/c，晶胞参数a=8.175(3) Å，b=7.927(2) Å，c=14.096(4) Å，β=12...