搜索结果: 1-15 共查到“知识库 电子科学与技术”相关记录9456条 . 查询时间(1.14 秒)
科技成果评价流程(图)
科技成果 评价流程
2024/10/15
射频同轴连接器选型与仿真(图)
射频 同轴 连接器
2024/10/15
如何高效率选出高能效的电感?(图)
高能效 电感 高效率 电感器
2024/10/15
近年来,美国对华半导体竞争呈现强化的态势。在拜登政府构建半导体产业联盟的过程中,盟国对美国的追随程度不尽相同。
厦门大学集成电路科学与工程博士后科研流动站于2023年建站,依托于厦门大学电子科学与技术学院,具有雄厚的科研力量。
电磁与电子技术研究所成立于2003年,其前身是1952年成立的电机教研室,是我国最早从事特种电机研究的学科。隶属于电气工程一级学科、电机与电器国家重点二级学科。
专家谈术语|集成芯片
集成芯片 Integrated Chips 晶体管 集成电路
2024/9/19
IGBT在关断过程中所发生的动态雪崩现象是导致其失效的重要原因之一。为研究IGBT动态雪崩失效机理,利用Silvaco软件对其进行仿真分析。通过对动态雪崩击穿机制、电流密度分布和温度分布的仿真分析,得出动态雪崩可以产生移动的电流丝和移动十分缓慢或固定不动的“死丝”。引起器件失效的是动态雪崩形成的死丝,死丝会导致IGBT内局部温度的急剧增加,最终因局部温度过高烧毁器件导致IGBT的失效。在此基础上分...
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
2024/3/5
碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...