搜索结果: 16-30 共查到“知识库 集成电路技术”相关记录477条 . 查询时间(1.937 秒)
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室狄增峰研究团队基于锗基石墨烯衬底开发出晶圆级金属电极阵列转印技术，在二维材料与金属电极的大面积无损范德华集成研究方面取得进展。5月23日，相关研究成果以Graphene-assisted metal transfer printing for wafer-scale integration of metal electrodes ...
基于导波驱动相变材料超构表面的基波及二次谐波聚焦
波导 聚焦 二次谐波 超构表面
2022/3/17
利用超构表面优异的波前调控能力将片上光子集成电路对光场的操控拓展至自由空间是当前一项重要课题。本文采用传输相位方法设计了一种基于波导模式激发的内嵌式超构表面，其相位分布同时满足导模的基频以及二倍频的聚焦。在此基础上，将内嵌式材料限定为相变材料，结合其在不同相态时的折射率差异，通过仿真手段实现了两种相态下分别针对于基波和二次谐波的聚焦。在基波（或二次谐波）实现高质量聚焦时，焦点处二次谐波（或基波）的...
通过对Buck变换器和Buck-Boost变换器中的储能元器件进行分析，从中构造出2种开关电感降压单元，分析了降压单元的工作原理，探讨了降压开关电感结构与升压开关电容结构之间的对偶关系。从二次型Buck变换器中提取前级降压单元，将其与2种降压开关电感单元进行组合，从而提出了一种具有降压单元的新型组合Buck变换器。通过分析变换器CCM和DCM的工作模态、工作波形以及各项参数，将变换器中的磁性元件进...
模拟集成电路以无线传感网络（WSN）节点芯片和系统为研究对象，包括WSN节点芯片、应用系统和平台、模式识别三个方向。
数字集成电路方向专注于大规模数字集成电路设计，主要包括：低功耗电路架构设计、嵌入式SRAM设计、GPS数字基带设计、可重构处理器架构等。
功率系统组致力于功率开关变换器的研究与开发，其中重点主要包括2个研究方面：1）功率开关电源——利用开关器件和储能元件将输入的电信号（直流或者交流）转化为特定应用场合需要的恒压或者恒流输出电信号；2）开关磁阻电机驱动器——利用多相开关桥臂将输入的电信号（直流或者交流）转化为高频输出信号以控制电机的转动。此外在工业控制等综合应用系统方面也进行了相关产品的研发工作。
西北工业大学微电子学院魏廷存教授团队主要研究领域为模拟与混合信号专用集成电路设计（Analog and mixed-signal ASIC design），具体研究方向包括：1）面向辐射探测器的微弱/高速信号读出处理芯片与系统；2）高频数字电源控制芯片与系统；3）微弱环境能量采集自供电芯片与系统；4）图像与信号处理专用硬件加速芯片；5）抗辐照ADC、DAC芯片；6）平板显示驱动控制芯片；7）混合电...
面向集成电路学术前沿和国家重大战略需求，开展射频集成电路与系统创新性研究，同时发展相关联的高性能数字及数模混合信号电路与系统，进行集成电路设计高层次人才培养，通过产学研结合方式促进科研成果的转化和产业化，从而使实验室实现可持续发展。
基于粒子群算法优化最小二乘支持向量机的电路故障诊断方法
故障诊断 粒子群算法 最小二乘支持向量机
2016/7/25
针对数/模混合电路故障的特点，采用将粒子群算法与最小二乘支持向量机相结合的故障诊断方法，在保证诊断过程准确率的基础上，实现多类故障的快速诊断。在诊断过程中，支持向量机的参数寻优过程存在随意性、盲目性和效率低等问题，采用改进的粒子群算法优化支持向量机的参数，建立基于支持向量机的故障分类模型。实验结果表明，与其他方法相比，该方法提高了故障诊断的精度，具有明显的实用价值。
Modeling and simulation of luminescence detection platforms
Luminescence probes Modeling CMOS sensor Post-processing
2015/8/12
Motivated by the design of an integrated CMOS-based detection platform, a simulation model for CCD and CMOS imager-based luminescence detection systems is developed. The model comprises four parts. Th...
Analysis of Active Pixel Sensor Readout Circuit
Active pixel sensor (APS) CMOS image sensor high-speed imaging readout electronics
2015/8/12
This brief provides a detailed analysis of active pixel sensor, pixel and column circuit. Surprisingly, we find that shorter readout times can be achieved by reducing the bias current and hence reduci...
Analysis of 1=f Noise in Switched MOSFET Circuits
1 noise CMOS image sensor nonstationary noise model periodically switched circuits phase noise ring oscillator time-domain noise analysis
2015/8/12
Analysis of 1 noise in MOSFET circuits is typically performed in the frequency domain using the standard stationary 1 noise model. Recent experimental results, however, have shown that the estimates u...
A 640 512 CMOS Image Sensor with Ultrawide Dynamic Range Floating-Point Pixel-Level ADC
Analog-to-digital conversion (ADC) CMOS image sensors digital cameras dynamic range image sensors mixed analog–digital integrated circuits pixel-level ADC video cameras
2015/8/12
Analysis results demonstrate that multiple sampling can achieve consistently higher signal-to-noise ratio at equal or higher dynamic range than using other image sensor dynamic range enhancement schem...
A Nyquist-Rate Pixel-Level ADC for CMOS Image Sensors
Analog-to-digital conversion cameras CMOS image sensors image sensors mixed analog–digital integrated circuits pixel-level analog-to-digital converter (ADC) video cameras
2015/8/12
A multichannel bit-serial (MCBS) analog-to-digital converter (ADC) is presented. The ADC is ideally suited to pixel-level implementation in a CMOS image sensor. The ADC uses successive comparisons to ...