搜索结果: 121-125 共查到“知识库 半导体材料”相关记录125条 . 查询时间(4.344 秒)
颗粒媒质等效电磁参数的研究
颗粒媒质 吸波材料 介电常数
2009/12/29
本文根据强扰动理论,导出了随机取向颗粒混合媒质等效电磁参数的计算方法。将这一理论应用于吸波材料的研究,找出了吸收剂粒子的最佳外形;获得了多粒子外形铁氧体吸波材料等效介电常数和等效磁导率的计算公式。测试数据表明,理论计算与实际测量值吻合得很好。
砷化镓气相外延中Zn的行为和微光材料的制备
砷化镓气相外延 掺Zn的GaAs 砷化镓光阴极材料
2009/12/29
在Ga-AsCl3-H2系统中用金属Zn为掺杂剂,研究了气相外延GaAs时Zn的掺入和行为。GaAs中Zn的分配系数和空穴浓度分别为10和大于1020cm-3,它们都比掺Cd的GaAs大2—3个数量级。这保证了用以制备光阴极材料所需的高空穴浓度的p-GaAs。结合掺Zn和掺s,已重复制得界面良好的p-n结构材料。
非晶硅太阳能电池载流子收集长度的自动测量
非晶硅太阳能电池 光生载流子 叠加原理
2009/12/29
提出用光生电流偏压关系拟合非晶硅pin太阳能电池光态I-V特性曲线,测量光生载流子收集长度的模型.用计算机自动测量与分析处理系统采样,采用Marquardt数字计算拟合法对实测I-V值进行拟合验证,实验结果证明该模型拟合结果良好.用不同模型对同组数据进行拟合比较,对各模型拟合误差进行了讨论,本文的模型拟合误差较小,参数自动拟合调整较大,数据重复性、可靠性好,能反映实际使用条件下电池的特性.
应用透射式电子显微镜观察了GaAs-AlxGa1-xAs多层异质结结构中的“精细低维调制条纹”。在邻近GaAs-AlxGa1-xAs超晶格层的缓冲层中和与这缓冲层邻近的GaAs-AlxGa1-xAs超晶格层的小区域中发现了等宽度的“精细低维调制条纹”,其宽度为9.1Å的GaAs条纹,12Å的AlxGa1-xAs条纹。文中介绍了用显微密度计获得的这些条纹的密度分布结果。同时还...
THE PHYSICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTING SULFIDES, SELENIDES AND TELLURIDES
THE PHYSICAL PROPERTIES SEMICONDUCTING SULFIDES SELENIDES TELLURIDES
2014/4/8
Research leading to an understanding of the fundamental properties of materials is becoming more and more an area of common interest which brings together the viewpoints of the traditional scientific ...
