搜索结果: 106-120 共查到“知识库 半导体材料”相关记录125条 . 查询时间(5.539 秒)
用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜
MOCVD ZnO薄膜 GaAs 低温
2008/3/16
采用二乙基锌(DEZn)和水(H2O)作为生长源，利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法，在100~400℃低温范围内，在GaAs (001)衬底上制备了ZnO薄膜. 利用X射线衍射(XRD), 室温PL, AFM, SEM研究了薄膜的晶体结构特性、发光特性及表面形貌特性. XRD分析表明ZnO薄膜具有很强的c轴取向，(002)峰的FWHM平均值为0.3. .当生长温度达到400℃时从SEM...
一种有机薄膜器件的制备及电存储特性
有机薄膜器件 存储器 电双稳特性 多重态导电特性
2008/3/16
研究了一种金属/有机物/金属夹层结构有机薄膜器件的可逆电双稳特性. 器件的阳极和阴极分别为真空热蒸发沉积的Ag和Al薄膜，中间介质层为真空热蒸发沉积的2-(hexahydropyrimidin-2-ylidene)-malononitrile (HPYM）有机薄膜. 器件起始状态为非导通态，在大气环境下，可用正、反向电场进行信号的写入和擦除，表现为极性记忆特性. 通过自然氧化的方法在底电极Al表...
铁掺杂氧化锌纳米悬臂阵列的拉曼光谱与发光特性研究
半导体 掺杂 纳米阵列 光致发光
2013/9/17
通过简单的热蒸发Zn-Fe-C-O混合物前躯体的方法, 合成出单晶结构的Fe掺杂氧化锌(ZnO)纳米悬臂阵列体系, 并对样品的形貌、化学成分和微观结构进行了表征. 发现所得样品的形貌为梳子状, 齿子规则地分布在主干一侧, 间距为几十纳米. XPS和拉曼光谱证明, Fe离子替代式掺入ZnO晶格(即小部分Zn被Fe取代). 室温光致发光测试发现, 随着Fe离子的掺入, 绿光激发峰有明显的红移现象, 而...
物理所提出金属诱导下半导体表面再构的普适电子计数模型
2008/1/18
最近，中国科学院物理所王恩哥研究组张立新博士生及其合作者在半导体表面再构的研究中取得重要进展，他们通过大量第一性原理计算，并进一步与实验结果比较，提出了一个“普适电子计数模型”。这一理论模型的建立为人们深入探索金属诱导下半导体表面发生再构时的规律，甚至为进一步探索掺杂纳米团簇的形成过程，同时对研究它们相应的物理性质开辟了新的途径。相关结果发表在美国《物理评论快报》(Phys. Rev. Lett....
三星RRAM作存储材料“实用化进程将出乎预料”
2008/1/18
韩国三星电子日前表示，对于“2004 IEDM”上发布的RRAM（Resistive RAM），“实用化进程有可能突然加速”。RRAM是一种新型不挥发性存储器，具有超越被誉为“新一代梦幻存储器”MRAM（Magnetoresistive RAM）的潜力。
RRAM的存储单元在施加脉冲电压后电阻值会产生很大变化，这一电阻值在断开电源后仍能维持下去。实现多值化的同时还能达到相当于NAND型闪存...
p-type conductivity and donor-acceptor pair emission in Cd1−xFexS dilute magnetic semiconductors
2011/12/6
Cd1−xFexS thin films with different Fe contents were grown on c-plane sapphire by low-pressure metal organic chemical vapor deposition. The resistivity of the thin films was found to increase wi...
使用高温固相烧结法制备不同化学剂量比的CuAlO2陶瓷，研究CuxAlO2(0.92≤x≤1.0)中Cu、Al摩尔比的相对变化对其结构和导电性能的影响。结果表明：CuxAlO2(0.92≤x≤1.0)陶瓷片的结构和密度随着x值的增大，样品的结晶性逐渐变好，密度也逐渐增大，在x为0.98时，得到密度最大(5.02 g/cm3)且结晶良好的纯相CuAlO2；样品的光学带隙均约为3.44 eV；随着x值...
经过外延生长和腐蚀分离后，直径为1~10 µm的独立微盘激光器件分别被粘附在多模光纤的端面上。在室温条件下采用光学泵浦，对该类器件均实现了脉冲和连续激射，输出波长在1.5~1.525 µm之间，在脉冲和连续输出下阈值泵浦能量分别为64和109 µW，激射波长随着热效应增加而呈现红移现象。该类器件在未来全光网络和集成光路中具有良好的应用前景。
NdxFe94xB6微波磁导率的研究
微波磁导率 纳米晶 Nd2Fe14B/α-Fe 双相
2012/4/17
采用熔体快淬法制备成分为NdxFe94-xB6(x=9.5, 10.5, 11.5)的纳米复相Nd2Fe14B/α-Fe材料。研究了稀土Nd含量对该材料的微波磁导率和自然共振峰频率的影响。采用XRD、VSM、矢量网络分析仪等方法对材料相组成、微结构、静态磁性能及微波磁导率特性进行测试分析。结果表明：当Nd的原子百分含量由9.5%增加至11.5%，材料的自然共振峰频率由6.53 GHz增加至15.9...
高性能Ag-Pb-Sb-Te体系半导体热电材料的制备与性能
热电材料 机械合金化 放电等离子烧结 热电性能
2013/9/27
采用机械合金化(MA)和放电等离子烧结(SPS)方法制备了高性能的Ag-Pb-Sb-Te体系块体热电材料. 利用XRD和SEM等表征手段分析了材料的物相组成和微观结构, 详细研究了组分变化, 尤其是Pb含量的改变对Ag0.8Pb18+xSbTe20体系材料热电性能(包括电阻率、Seebeck系数、功率因子、热导率和热电优值等)的影响规律. 研究表明, Ag-Pb-Sb-Te体系材料的最佳组成为Ag...
运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性, 计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法. 计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化, 变化趋势和实验结果吻合. 在包含两个Cr原子的体系中, Cr原子之间是铁磁性偶合, 每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近. 对于不同的掺杂浓度, Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合, Cr原子的3d电子与N原子的2...
Bi2Te3纳米颗粒和纳米线的溶剂热合成及组织特征
Bi2Te3 溶剂热合成 纳米颗粒 纳米线
2010/3/19
分别以吡啶、 无水乙醇为反应介质，以NaBH4为还原剂，采用溶剂热合成方法， 在150℃下反应24h制备了平均晶粒尺寸为15~20nm的Bi2Te3纳米粒子。采用相同的合成方法， 以去离子水为反应介质， 合成了直径为30~80nm，长径比大于100的Bi2Te3纳米线。 XRD和TEM分析表明， 随着溶剂介电常数和极性增加，所生成产物的物相纯度、 结晶度增高， 晶粒尺寸增大。
COMPARATIVE ANALYSIS OF THE BEHAVIOR OF COAXIAL AND FRONTAL COUPLINGS – WITH PERMANENT MAGNETS – IN HIGH TEMPERATURE ENVIRONMENTS
permanent magnets permanent magnet couplings
2010/1/12
This paper presents a comparative analysis of the behavior of coaxial and frontal couplings – with permanent magnets – in high temperature environments specific to iron and steel industry. The compara...