搜索结果: 31-45 共查到“知识库 半导体材料”相关记录125条 . 查询时间(2.328 秒)
三元多碲化物纳米晶的新方法制备及表征
微波溶剂热法 纳米晶 金属碲化物
2009/11/10
以硝酸银、氯化亚锡和碲粉为原料经微波溶剂热法制备纳米晶粉体Ag8SnTe6, 通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等手段表征其组成. 讨论了合成时间和有机溶剂填充度等条件对化合物产率和粒径的影响. 阐述了微波溶剂热法合成纳米晶的机理. 漫反射紫外可见吸收光谱(UV-Vis)表明其禁带宽度为2.58 eV，具有优良的半导体性能.
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芴与噻吩共聚物敏化半导体在可见光下催化降解罗丹明B
聚合物 敏化 可见光 罗丹明B
2009/11/9
可见光照射下，芴与噻吩共聚物(PFT)敏化TiO2和ZnO具有优良的催化性能，降解罗丹明B的实验表明，PFT/TiO2的催化活性明显高于PFT/ZnO. 经过2 h LED(Light-emitting Diode)灯照射，PFT/TiO2体系中，罗丹明B完全降解为无色物质，矿化率48%；而PFT/ZnO体系中，同样条件下，2 h后还存在大量有色的罗丹明B降解中间产物，矿化率只有24.6%. 罗丹...
阳极氧化电压对多孔氧化铝膜生长过程的影响
多孔氧化铝膜 氧化电压 膨胀因子
2009/11/6
以草酸溶液为电解质，采用两步电化学阳极氧化法制备了氧化铝有序多孔膜，研究了阳极氧化电压对多孔膜生长过程及形貌的影响. 结果表明，电流密度、生长速率及孔径、孔间距随电压的升高而增大，而膨胀因子与电压呈线性关系. 氧化铝膜的孔隙率保持在12%左右，与电压基本无关.
六棱柱和空壳结构锐钛矿相TiO2的过程控制合成
钛酸四丁酯 六棱柱结构 空壳结构
2009/11/5
以钛酸四丁酯为钛源，经回流过程合成了草酸氧钛盐微晶，热处理后得到六棱柱和空壳结构的锐钛矿相TiO2. 通过调整升温程序控制反应过程的气泡生成过程以影响产物的形貌. 无气泡持续产生时，得到六棱柱结构锐钛矿相TiO2；有气泡持续产生时，以气泡为模板，得到空壳结构锐钛矿相TiO2. XRD分析表明，产物草酸氧钛盐和锐钛矿相TiO2 均具有较高的纯度和较好的结晶度. SEM和TEM分析表明，六棱柱状TiO...
分析研究了热丝化学汽相沉积(HFCVD)法工艺参数的变化对SiC薄膜质量的影响。结果表明，合理的选取工艺参数，可在较低温度(700～900℃)下，沿Si(1l1)晶向异质生长出高质量的准晶SiC薄膜。
InN半导体纳米晶相变活化能的研究
InN半导体纳米晶 差示扫描量热法 活化能
2009/10/21
导出了相变活化能E与加热速率Φ和峰值温度Tp的关系表达式.用差示扫描量热分析法,研究了InN半导体纳米晶在不同加热速率条件下由室温立方相向高温六方相转变的特征参数Tp.然后根据导出的关系表达式和实验数据,计算所得的InN半导体纳米晶由立方相转变为六方相的相变活化能为E=1.3466×103kJ／mol.
LPCVD掺氧多晶硅电学特性研究
掺氧多晶硅 低压化学汽相淀积 含氧量
2009/10/20
本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SIPOS的含氧量增加,其电导率下降;在退火过程中,随退火温度的不同,SIPOS的电导率的变化存在两个不同过程:低温退火过程中,电导率的变化与SIPOS中的Si-O键的分布和作用有关;而在高温退火过程中,电导率的变化则是SIPOS薄膜再结晶的结果。本文对SIPOS...
讨论了基于气敏元件互补反馈和互补增强原理的新型半导体n+p结构气敏元件. 理论分析表明,该新型气敏元件具有高的选择性,同时还具有好的热稳定性和高的灵敏度. 通过实验,获得了性能较好的n+p结构酒敏元件.
p型硅片表面氧化雾缺陷的吸除
硅片 雾缺陷 快中子辐照
2009/9/23
利用快中子辐照在p型硅片中产生辐照缺陷,利用其作为热处理时硅中氧沉淀的成核中心,在硅片表面层形成洁净区和在体内形成吸杂区,能有效地抑制硅片表面氧化雾缺陷的形成.提出了较为实用的退火工艺和简单的解释.
差分SPV法测量a-Si:H材料少子扩散长度的数学模型
a-Si:H材料 差分SPV测量 扩散长度
2009/9/23
用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响.本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素.
硅低温本征载流子浓度的计算
硅半导体 禁带宽度 本征载流子浓度
2009/9/23
本文提出了低温区高精度的禁带宽度的表达式,获得了低温区本征载流子浓度的简明公式。考虑到禁带变窄效应的作用,本文导出了重掺杂硅中本征载流子浓度与温度和杂质浓度的关系式。与常温情况相比,低温下本征载流子浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升。
1.4μm～1.7μm宽带光放大材料研究
光放大 掺氧化物 稀土材料
2009/9/22
宽带光放大是指在整个硅基光纤最低损耗带1.4μm～1.7μm能够获得有效信号净增益的光放大。研究高效的宽带光放大材料可以大大满足人们提高通信容量和实现光集成的要求。材料体系的研究主要集中在稀土掺杂氧化物薄膜、玻璃材料和有机聚合物材料上。着重从宽带的获得、发光性能的改善和发光机理的探索3个方面介绍了稀土掺杂玻璃和薄膜材料的研究进展。结合已经取得的结果和积累的经验,探讨了提高发光效率的方法，指出纳米结...
ZAO透明导电薄膜研究进展
TCO ZAO 掺杂 热等静压
2009/9/22
透明导电薄膜作为半导体光电子材料具有广泛的应用，但由于制备ITO透明导电薄膜的原料自然界储量少、制备成本高，加之ITO薄膜本身存在稳定性差、有毒性、制备工艺复杂等缺陷。与ITO薄膜相比，掺杂铝的ZnO系透明导电薄膜ZAO，具有成本低、制备工艺简单、无毒性、稳定性高等优点，有望代替ITO薄膜，具有较好的开发和应用前景。综述了近年来ZAO透明导电薄膜的研究进展。
分子动力学方法研究硅锗超晶格的弛豫过程
弛豫 振动光谱 分子动力学方法
2009/9/17
本文采用分子动力学方法，应用Tersoff经验势模型，研究了Si/Ge/Si和Ge/Si/Ge结构的弛豫过程中的晶格常数变化，原子均方位移变化,原子总势能及振动光谱的变化。充分弛豫之后，Si/Ge/Si结构横向拉伸，纵向压缩；而Ge/Si/Ge结构横向和纵向都压缩，且纵向压缩幅度大，弛豫时间长。原子总势能和原子均方位移在系统达到平衡后达到恒定值，且总势能低于初始势能。振动光谱逐渐衰减且Ge/Si/...
