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北京大学材料科学与工程学院新概念材料研究所科研成果（图）
北京大学 材料学院 新概念材料 科研成果
2023/5/16
北京大学材料科学与工程学院王前教授课题组利用全新方法，发现了迄今最稳定的三电荷负离子结构。王前教授带领团队利用量子力学统计原理，创建了全新的计算机模型，并证明由元素硼与铍等组成的三电荷负离子，能在2.65电子伏特的冲击下保持稳定。研究人员将八电子规则和硼烷结构电子计数规则等化学原理结合，为设计其他三电荷负离子提供了全新思路。（原文链接：Colossal Stability of Gas-Phase...
随着可再生能源的快速发展，储能变流器在新能源电网中发挥着至关重要的作用。本文针对基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元，其中包含10 kV高压交流模块和750 V低压直流模块，重点研究了功率单元的低感设计和散热设计方法，并提出了功率单元的整体设计方案。通过优化叠层母排的结构，将高压交流模块与低压直流模块的杂散电感分别降低至794μH和235μH，有效减小功率单元的关断过电压。通过热仿真研究，...
MOSFET非线性寄生电容对单管谐振正激变换器的影响及其处理
寄生电容 非线性 谐振正激 MOSFET
2024/3/11
高效的正激变换器常利用高频谐振实现磁复位及软开关。高频下,MOSFET非线性寄生电容对谐振的影响更加明显,不仅导致谐振点偏移,软开关失效,更可能令磁芯无法正常谐振复位。为计算在非线性寄生电容影响下的谐振参数,利用Simplis搭建仿真模型,并推导基本数学表达式;利用分段线性法计算谐振过程中电容充放电时间,并根据能量守恒建立谐振参数取值的约束方程组。计算所得的谐振参数可在不降低频率和占空比的条件下克...
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
南方科技大学深港微电子学院科研方向（图）
南方科技大学深港微电子学院 科研方向 集成电路设计方法学 人工智能芯片 集成电路制造与工艺 微纳系统与集成
2022/10/17
南方科技大学深港微电子学院科研方向：集成电路设计方法学；人工智能芯片；集成电路制造与工艺；微纳系统与集成。
半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。
功率型高效发光二极管是实现半导体照明的核心器件。该领域的发展引起了全球企业和研究机构的重视。目前，发光效率与可靠性问题是制约功率型LED发展与应用的主要技术瓶颈。本研究围绕如何实现高效高可靠性功率型LED展开，探讨制约发光效率的关键因素和物理机制，深入研究器件结构和关键工艺技术，实现高效高可靠性大功率LED，解决半导体照明领域核心器件问题。
围绕130lm/w以及更高亮度的白光LED的研发目标，通过公关研究，初步建立从新型单晶制备、图形衬底设计加工以及新型衬底GaN基材料外延的技术平台，可以为高效、大功率、高亮度的LED白光照明不断提供新材料支撑技术；掌握各种新型衬底上外延高质量GaN材料的关键技术，成为具有国际一流水平的白光LED基础材料研发中心，为我国半导体照明产业发展提供创新型技术支持。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向新功能半导体器件与芯片
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 新功能半导体器件与芯片 半导体器件 芯片
2022/10/4
基于锑化物和高速硅基光互连，开展红外激光器、红外焦平面芯片和高速图像处理芯片的研究。研制全国产化锑化物超晶格红外焦平面芯片和锑化物双波段红外焦平面芯片，实现大功率、窄线宽锑化物红外激光器芯片；发展CMOS太赫兹探测器及面阵、面向图像大数据处理的人工智能处理器芯片，着眼与未来感存算一体化集成的前沿方向，开展高速硅光互连通信芯片研究。