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搜索结果: 76-90 共查到知识库 中子物理学相关记录654条 . 查询时间(2.121 秒)
利用瞬发γ中子活化分析技术对不同质量的单质硫进行了定性测量,实验使用的是252Cf源和6″×6″ NaI探测器,测量时间为1 200 s。实验结果表明:测量得到的硫元素的瞬发γ特征峰十分明显,元素特征得到了体现,证明该测量系统可对物料中的硫元素含量进行分析。
同伦分析方法是一种求解非线性方程组的级数解析方法。将同伦分析方法应用于单组缓发中子动力方程组的求解,获得了它的级数分析解,并对算法的有效性进行了检验。结果表明:该算法从计算时间和精度上都能达到了工程应用的要求。
为测量DPF脉冲中子产额,设计了电流型银激活探测器。该探测器由中子慢化体、天然银片、塑料闪烁体和光电倍增管组成。定义了该探测器测量DPF快脉冲中子产额时的探测灵敏度。采用高压倍加器稳态中子源对电流型银激活探测器的探测灵敏度进行了标定。稳态中子源的绝对中子产额由伴随粒子法给出。通过计算机自动记录探测器在饱和照射后其输出电流随时间的变化曲线,通过分析变化曲线求解特征参数,进而得到电流型银激活探测器在距...
设计建立了用于声空化核效应的中子测量系统,该系统由ST-451液闪探测器和BF3正比计数管组成,各中子谱仪的仪器精度<2.42%,并导出BF3正比计数管的中子探测灵敏度计算式。利用高压倍加器氘离子轰击D-Ti靶产生的2.45 MeV中子,对BF3计数管进行探测灵敏度标定。利用BF3正比计数管测量声空化核效应实验的声核中子,由此估算有效中子发生率为7.0×104~8.0×105 s-1。
参考国内标准化和国际标准化组织(ISO)及国际电工委员会(IEC)对中子(率)仪校准的相应标准,对已设计、加工、组装完毕的1台长圆柱状、较大体积、高灵敏中子剂量当量率仪,在宽能区(热中子~20 MeV)内进行了能量响应和剂量灵敏度的实验校准。本文介绍了仪器能谱响应函数曲线实验校准方法、实验方案和结果分析,给出了仪器的综合灵敏度48.9 s-1/(µSv•h-1)及在3种特征...
通过开展光敏晶体管的反应堆中子辐照实验,获得位移效应实验结果,并分析位移损伤机理。研究发现,在3×1011 ~5×1012cm-2中子注量范围内,光敏晶体管增益和光响应度的下降导致集电极输出电流下降。增益的倒数与注量的增加呈线性关系,注入电流越大,线性关系的斜率越小。理论分析表明,通过提高基区掺杂水平或减小基区宽度,可提高增益的抗辐射水平;不同反向偏置电压下的初级光电流辐照前基本相同,随着辐照注量...
In the present work we calculate the adiabatic index of neutron stars formed by hadronic or quarkionic matter, under two possible conditions, with and without trapped neutrinos, and for two values of ...
为对方形塑料闪烁光纤阵列的出射荧光特性进行分析,利用Geant4蒙特卡罗程序包将中子在闪烁光纤阵列中的能量沉积弥散过程和荧光(E≤100 eV)在光纤内部的传播过程进行耦合输运模拟。分析14 MeV中子入射点的位置对荧光强度分布的影响,找出计算闪烁光纤阵列调制传递函数的1个等效点。讨论了荧光强度分布、荧光收集效率与角分布之间的关系。以5 cm厚闪烁光纤阵列为例,讨论了闪烁光纤阵列的调制传递函数和平...
以D-D中子发生器作为中子源,用瞬发γ中子活化分析(PGNAA)检测水泥生料中主要元素Si、Al、Fe和Ca及其氧化物的百分含量。水泥生料中各元素被中子辐照而释放瞬发γ射线,通过测量γ射线的能量和强度,可对其进行定性和定量分析。测量结果与化学化验方法所得结果的相对偏差好于7.0%,在允许范围内,有较好的重复性。与化学化验方法相比,该方法不破坏样品、用时短、可同时测量多种元素、精确度和准确度高,能满...
根据BF3的探测原理,中子在聚乙烯的输运过程及管内10B(n,)7Li反应机理,通过大量的测量实验,模拟出脉冲测量中BF3漏计数概率很小的边界条件,该测量方法适合目前脉冲中子装置中的中子产额测量。
本文概述了一类ms级脉冲中子的产生背景、辐射特征及探测难点,提出了精确测量这类脉冲中子时间谱探测技术,包括电流型脉冲技术测量方法和能够降低γ/n强度比的层叠式探测器设计方案,并在脉冲反应堆上对这种探测技术进行了验证性实验,结果表明:该技术对ms级脉冲中子时间谱的测量精度可达ns级。
本文以NUREG/CR-6115PWR压力容器注量计算基准题中的标准堆芯装载模式为基础,使用MCNP程序及基于ENDF/B-Ⅵ库的连续能量截面库对其进行了压力容器快中子注量率(E>1.0 MeV)的计算,并在此基础上对截面库、燃耗、裂变谱以及NONU卡等影响计算精度的因素进行了敏感性分析。结果表明,上述参数对基准模型快中子注量率的影响分别为4.12%、5.5%~7.6%、18%和6.7%左右。
介绍了中国散裂中子源(CSNS)快循环同步加速器(RCS)中四极陶瓷真空盒内表面镀TiN膜技术与成膜系统装置。采用磁控溅射法,通过在绝缘体长直管道外表面安装金属屏幕罩来提供同轴电场的方法,解决了镀膜均匀性的问题。镀膜样品Ti、N比在0.9~1.1范围内,膜厚为100 nm左右,附着力达到要求,总体满足设计指标,完成了CSNS四极陶瓷真空盒样机的镀膜。
束流位置探测器(BPM)是加速器束流测量系统的重要组成部分。本文通过在斜切型BPM的差和比计算式中引入相对电极间的耦合电容及电容差,解释实测灵敏度偏小、存在零点偏移量的原因。结合模拟软件CST的仿真结果及推得的计算式,得到BPM几何结构与电子学参数的关系。最后,基于CSNS-RCS环上参数及电子学要求,得到优化的BPM几何结构及其电子学参数值。
考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1 MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响。数值模拟部分结果与反应堆中子辐照实验结果一致。

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