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日本东芝公司、美国IBM和AMD公司2008年12月17日联合发表新闻公报说,这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0.128平方微米的静态随机存取存储器(SRAM)元件,并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。
2005年6月17日,吉林大学校长周其凤院士为国际知名微电子科学技术与半导体器件专家和教育家、美国工程院院士、中国工程院外籍院士施敏博士颁发了吉林大学名誉教授聘书并佩戴校徽。
韩国海力士半导体公司2006年12月4日宣布,该公司成功开发出目前世界上速度最快、体积最小的512兆移动动态随机存取存储器(DRAM)。这种芯片可广泛应用在手机等移动电子产品上。
英国巴斯大学2006年6月22日发表的新闻公报说,该大学正与另外3所英国大学、一所比利时大学以及一家法国研究中心合作展开一项为期3年的研究项目。研究目的是减少半导体芯片内部用于电子信号传输的线路需求,进而提高芯片运行速度。
位于荷兰Delft的Kavli纳米科技学院及位于荷兰Eindhoven的飞利浦研究院合作研制了基于半导体纳米级砷化铟线的超导晶体管。飞利浦表示,这种器件使新型纳米级超导电路的制造成为可能,并同时展现了基础量子传输现象研究的机会。研发小组将于2005年7月8日的《科技》期刊上发表这项研究成果。

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