搜索结果: 136-150 共查到“知识要闻 半导体材料”相关记录227条 . 查询时间(3.339 秒)
最近中国科学院大学物理科学学院博士生导师、中国科学院拓扑量子计算卓越创新中心的周武研究员、张余洋副教授与美国范德堡大学Sokrates T. Pantelides教授（中国科学院大学特聘访问教授）、新加坡国立大学Kian Ping Loh教授、新加坡南洋理工大学Zheng Liu教授等课题组合作，针对构筑二维半导体量子阱及超晶格结构问题开展研究，利用二维平面异质结界面形成的周期性位错驱动二维量子阱...
碳量子点是继富勒烯和石墨烯之后备受瞩目的碳纳米材料。碳量子点具有类似于半导体量子点的荧光性质，但不含有毒金属元素，具有良好的生物相容性，在生化传感、成像分析、环境检测、光催化技术等领域表现出良好的应用前景。然而，受合成方法所限，手性碳量子点的研究目前仍不多见。中国科学院国家纳米科学中心聂广军课题组与清华大学许华平课题组合作，利用生物小分子半胱氨酸在水溶液中制备出具有手性光学活性的N-S掺杂碳量子点...
有机半导体材料作为有机光电器件的核心组成部分，成为有机电子学的研究热点。材料的分子结构从根本上决定了材料的性能，因此，有机半导体材料的结构创制与合成一直是有机电子领域合成化学家关注的焦点。薁（Azulene）是一种青蓝色的具有较大分子偶极矩的非苯芳香化合物。从分子结构上看，薁是由缺电子的七元环和富电子的五元环并合而成，具有非镜面对称的分子前线轨道（HOMO/LUMO）、较低的能隙和反Kasha规则...
中国科学院物理研究所二维材料构筑超短沟道晶体管研究获进展（图）
中国科学院物理研究所 二维材料 超短沟道 晶体管
2018/2/9
传统硅基半导体器件的小型化进程逐渐接近其物理极限，寻找新的材料、发展新的技术使器件尺寸进一步缩小仍是该领域的发展趋势。传统硅基场效应晶体管要求沟道厚度小于沟道长度的1/3，以有效避免短沟道效应。但受传统半导体材料限制，沟道厚度不能持续减小。近年来，利用二维半导体材料来构造短沟道晶体管器件已经成为一个前沿探索的热点课题。二维材料因其达到物理极限的厚度成为一种构造超短沟道晶体管的潜在材料，理论上可以有...
应结构化学国家重点实验室邀请，福建师范大学物理与能源学院院长黄志高教授于2018年1月23日访问福建物构所，并作了题为《零带隙PbPdO2半导体的电性和磁性的研究进展》的学术报告。报告中，黄志高教授首先介绍了该材料的当前研究进展，然后介绍了他的团队利用理论计算和实验研究揭示了PbPdO2薄膜的择优取向是导致该材料具有奇特电致/磁致电阻行为以及金属-绝缘体转变的原因。报告交流环节，各位老师学生积极地...
由中国科协科学技术传播中心指导、知社学术圈主办的“2017中国新锐科技人物”评选结果近日揭晓。该评选活动旨在展示中国优秀的青年科技工作者以及他们的研究工作，促进跨领域的学术交流与合作，并推动科学技术的传播与普及。吉林大学材料科学与工程学院青年千人张立军教授入选中国新锐科技人物。张立军教授自2014年9月全职回校工作以来，围绕半导体功能材料，基于大规模电子结构计算模拟，开展材料能带调控及新材料设计研...
中国科学院物理研究所二维原子晶体锑烯研究取得进展（图）
中国科学院物理研究所 二维原子晶体 锑烯研究
2017/12/29
未来信息技术需要低功耗、高性能的晶体管，国际半导体技术路线图描绘的未来晶体管通道长度小于10纳米。近年来的研究热点之一二维（2D）原子晶体材料与传统半导体材料相比，具有散射小、迁移率高、便于制备叠层异质结构、电学性质易于调控等特性，成为制作未来晶体管的优秀候选材料之一。在已发现的二维原子晶体材料中，由元素周期表中IV族元素构成的单层材料（例如石墨烯，硅烯，锗烯和锡烯等）具有高载流子迁移率，但由于其...
中国科学院半导体研究所二维半导体磁性掺杂研究取得进展（图）
中国科学院半导体研究所 二维半导体 磁性掺杂
2017/12/20
近年来，二维范德华材料如石墨烯、二硫化钼等由于其独特的结构、物理特性和光电性能而被广泛研究。在二维材料的研究领域中，磁性二维材料具有更丰富的物理图像，并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用，越来越受到人们的关注。掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段，如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子，则这些材料可能在保持原有半导体光电特性的同时具有磁性。近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验研究员...
上海交通大学团队与合作者发现纳米摩擦直流发电现象（图）
上海交通大学 纳米 摩擦 直流发电
2017/12/19
2017年12月11日国际顶尖学术期刊《自然·纳米技术》（Nature Nanotechnology）在线发表了题为“Direct-current triboelectricity generation by a sliding Schottky nanocontact on MoS2multilayers”的研究论文，其研究团队利用导电原子力显微镜（C-AFM）技术在二维材料MoS2中发现了一种...
中国科学院半导体研究所钙钛矿太阳电池研究取得进展（图）
中国科学院半导体研究所 钙钛矿 太阳电池
2017/12/12
近几年，有机无机杂化钙钛矿太阳电池被广泛关注。该材料具有带隙可调、吸收系数高、载流子寿命长和载流子迁移率高等优点。钙钛矿太阳电池被报道的最高效率已超过20%。近日，中国科学院院士、中科院半导体研究所半导体材料科学重点实验室王占国课题组，在钙钛矿太阳电池载流子输运管理研究方面取得了新进展。作为有源层的有机无机杂化钙钛矿材料对电池效率起关键作用，而单纯依靠优化钙钛矿薄膜来提高电池的效率已处于瓶颈期。这...
近日，我校材料学院、新型显示材料与器件工信部重点实验室曾海波教授团队在国际顶尖学术刊物《Chemical Society Reviews》（影响因子38.6）发表题为“Recent progress in 2D group-VA semiconductors: from theory to experiment”的综述文章。（青年教授张胜利为第一作者，曾海波教授为通讯作者。该期刊是世界公认的材料化...
中国科学院半导体研究所等撰写二维材料低频剪切模和呼吸模拉曼散射的综述论文（图）
二维材料 拉曼光谱
2017/11/22
近十年来，二维材料的蓬勃发展可谓日新月异，其种类从半金属（比如石墨烯）到半导体（比如过渡金属二硫化物）到绝缘体（比如六角氮化硼）都有涵盖。相比块体的材料，二维材料表现出许多的独特的优异性质，比如说单层石墨烯中电子的迁移率要远大于其母体材料石墨；对于单层的二硫化钼(MoS2)来说，晶格中心反演对称性的破缺使得谷自旋效应得以实现，而层间耦合的消失使其从母体的间接带隙半导体变成单层的直接带隙半导体。同时...
中国科学技术大学在二维材料半导体量子晶体管研究中取得重要进展（图）
中国科学技术大学 二维材料 半导体 量子晶体管
2017/10/25
我校郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室在半导体门控量子点的研究中取得重要进展。该实验室郭国平教授研究组与其合作者深入探索二维层状过渡金属硫族化合物应用于半导体量子芯片的可能性，实验上首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件。该成果于10月20日在线发表在《科学·进展》（Science Advances）杂志上。经过几十年的发展，半导体门控量子点作为一种量子晶体管已经成为量子...
同济大学黄佳教授课题组有机晶体管传感器研究取得系列重要进展（图）
同济大学 黄佳教授课题组 有机晶体管 传感器研究
2017/9/27
对有害化学物质的检测在环境保护、食品安全、医疗卫生、工业生产以及国防军事等方面都至关重要，而对光、温度与压力的灵敏感知在人工智能、人机界面、智能机器人、人工电子皮肤、可穿戴设备等前沿科研领域也极其重要。基于场效应晶体管的传感器兼具传感与信号放大的功能，具有简单便携、高灵敏和高选择性等优势，并且部分有机半导体材料具有可以生物兼容和降解的潜力，因而有机晶体管传感器在上述科研与应用领域大有用武之地。
上海科技大学物质学院助理教授米启兮课题组，在理论指导下设计出新型钙钛矿半导体材料，并制备成光电二极管器件验证其高性能和高稳定性。最近，相关成果以“Symmetrization of the Crystal Lattice of MAPbI₃ Boosts the Performance and Stability of Metal–Perovskite Photodiodes”为题在国...