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2022年12月5日,受Wiley量子领域旗舰期刊Advanced Quantum Technologies编辑的邀请,中科院合肥研究院强磁场中心杨晓萍研究员课题组在该期刊撰写综述(Review)文章,介绍了基于镍酸盐的人工异质结构材料中非常规超导研究的理论、实验进展和前沿动态。中科院合肥研究院强磁场中心为第一作者单位和通讯作者单位。文章被Wiley官方公众号报道(https://mp.weixi...
中国科学院微电子所等在超强抗辐射碳纳米管器件与电路研究中取得进展(图)
微电子 抗辐射碳纳米管器件 电路研究
2022/11/26
新一代航天器对宇航芯片的性能和抗辐射能力提出了更高要求。碳纳米管器件的栅控效率高、驱动能力强,是后摩尔时代最具发展潜力的半导体技术之一,并具有较强的空间应用前景。
中国科学院微电子研究所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学教授张志勇、中科院国家空间科学中心副研究员陈睿合作,研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器,并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力(图1)。研究显示,局域底...
中国科学院空间中心等揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理(图)
碳纳米管器件 电路单粒子
2022/11/24
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求,元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能,是下一代先进半导体器件典型代表,也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道,碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力,可满足深空探测任务对芯片...
中国科学院微电子所在超强抗辐射碳纳米管器件与电路方向取得重要进展(图)
抗辐射碳 纳米管器件 电路方向
2023/8/21
微电子所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学张志勇教授、中科院空间中心陈睿副研究员合作,研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器,并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力(图1)。研究显示,局域底栅碳纳米管晶体管和静态随机存储器在受到2.8×1013 MeV/g的位移损伤辐照后,仍可承受2 Mrad(Si)的电离总剂量辐照和104 MeV·cm2/mg的等效激光单粒子辐照,其综合抗辐...
2022年11月3日,中科院深圳先进院集成技术研究所神经工程中心与德国马克思普朗克聚合物研究所有机电子研究团队合作,以深圳先进院为第一单位在Science Advances发表了题为“An artificial remote tactile device with 3D depth-of-field sensation”的文章。朱珊珊助理研究员为第一作者,李光林研究员、Prof. Paschali...
南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室顺利通过验收(图)
工程实验室 射频集成 微组装
2024/2/5
中国科学院微电子所在低功耗人工智能领域获进展(图)
微电子 人工智能 智能芯片
2022/10/21
2022年10月20日,中国科学院微电子研究所感知中心低功耗智能技术与微系统团队在低功耗人工智能领域取得新进展。 语音唤醒技术(Keyword Spotting,KWS)是人工智能领域的重要技术,是人声与低功耗设备或终端之间的典型且广泛使用的“触发器”,广泛应用于各种低功耗的智能芯片与微系统。通常高性能的深度卷积神经网络模型的语音唤醒模型复杂度高、计算量大、需要占用大量内存,难以将其部署到上述资源...
芯系未来系列活动(第二十八期)顺利开展(图)
芯系未来 第二十八期 国产数字电路EDA软件 芯片设计
2022/12/20
中国科学院半导体所发现一种自旋存算器件全电写入新方式(图)
自旋存算器件 自旋电子学 微纳米器件
2023/7/7
自旋电子学存算器件是后摩尔时代信息科学的潜在解决方案之一。如何实现垂直磁各向异性比特的高能效全电驱动是目前高密度自旋存算技术亟待突破的重要课题。传统材料(如重金属和拓扑材料等)由于对称性保护只能产生面内横向极化自旋(σy),其角动量无法翻转垂直磁各向异性比特。因此,寻找垂直有效磁场和垂直极化自旋(σz)的有效产生方法成为近年来的科学前沿和研究热点。自旋电子学存算器件是后摩尔时代信息科学的潜在解决方...