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近期，中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所孙敦陆研究员课题组在2.7~3微米波段中红外晶体制备及激光性能研究方面取得一系列新进展，相关研究成果分别以《Ho,Pr:YAP晶体的热学、光谱及~3微米连续激光性能》、《Er:YGGAG晶体的结构、光谱与激光性能》和《LD侧面泵浦YSGG/Er:YSGG/YSGG晶体实现28.02瓦的2.8微米连续激光》为题发表在光学领域国际知名期刊Opti...
近日，南京大学物理学院、原子制造研究院张敏昊副研究员、宋凤麒教授课题组与华中科技大学卢兴教授课题组以及西安交通大学杨涛教授课题组等合作，基于Dy@C84团簇单分子晶体管电输运平台，结合理论计算分析，系统研究了单原子磁性的电调控。
中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所在梯度浓度Nd:YAG和Nd:GdYAG晶体制备及激光性能研究方面取得新进展（图）
晶体制备 激光性能 激光晶体 Nd:YAG晶体
2024/4/9
雷速共建数据
近日，中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所张庆礼研究员课题组与健康所江海河研究员课题组在梯度浓度激光晶体生长及激光性能研究方面进一步深入合作，采用类泡生方法生长了不同梯度浓度的Nd:YAG和Nd:GdYAG激光晶体，Nd:GdYAG的激光性能优于近似梯度浓度Nd:YAG晶体，相关研究成果以《渐变浓度掺钕钇铝石榴石系列晶体的生长与激光性能》为题发表在国际知名光学TOP期刊Optics ...
上海光机所在掺钕铝酸锶镧镁激光晶体研究方面取得进展（图）
激光晶体 光电功能 光谱
2024/4/14
2024年3月18日，中国科学院上海光学精密机械研究所先进激光与光电功能材料部在Nd:ASL(Sr0.7Nd0.05La0.25Mg0.3Al22.7O19)激光晶体研究方面取得进展，相关成果以“Tunable laser operations on Nd-doped strontium and lanthanum aluminate crystals”为题发表于Infrared Physics ...
有机发光晶体管（OLETs）是一种兼具有机场效应晶体管（OFETs）和有机发光二极管（OLEDs）功能的小型化光电集成器件，独特的电压驱动模式使其具有与现有制备工艺兼容、集成更容易等优势，被认为是实现下一代新型显示技术的重要器件基元。此外，OLET特有的栅压调控功能为实现高效的电子空穴传输及复合提供了新途径，使其在数据通信、照明、智能全彩显示技术以及高密度柔性可视化传感器等方面显示出应用潜力。
本发明涉及一种挥发性有机化合物分析仪器，具体地说，涉及一种便携式具有自清洁式内循环气路的石英晶体微天平分析装置。该装置包括石英晶体微天平或石英晶体微天平阵列，带有热解析装置的吸附阱，三通阀，气体循环泵和抽气泵。通过三通阀通断，可以实现基线内循环与检测内循环气路的切换。本发明与现有技术相比，具有体积小、结构紧凑、集成化程度高，易于批量生产与便携，维护成本低、适于户外在线监测VOCs，提高检测灵敏度等...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种无机磷酸盐晶体材料的制备方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 磷酸盐 晶体材料
2024/1/29
一种无机磷酸盐晶体材料，具有由铝、氧、磷、氟四种元素组成的二维电负性骨架结构，钠离子和/或锂离子位于二维电负性骨架的层间和孔道间，表达式为Na5-XLiXAl3(PO4)6F6。制备方法为：将铝源、钠的磷酸盐和/或锂的磷酸盐、氟化物、去离子水按照3-5∶6-10∶6-10∶20-100的摩尔比混合，搅拌形成初始凝胶；用氢氧化钠溶液和/或氢氧化锂溶液将步骤a所得初始凝胶的pH值调至8-9；将步骤b所...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种石英晶体微天平的微型检测池
中国科学院大连化学物理研究所 专利 石英晶体 微天平 微型检测池
2024/1/24
本实用新型涉及液相环境中的石英晶体微天平的微型检测池设计。包括上池体、下池体、晶体架。上池体与下池体通过固定柱相连，于固定柱的一端或二端设置有压力弹簧，上池体与下池体通过压力弹簧紧密贴合在一起，晶体架置于下池体上表面设置的一凹槽内，晶体架与下池体为可拆卸连接，通过压力弹簧的伸缩实现的。本实用新型的石英晶体微天平的微型检测池结构简单，集成程度高，死体积小，防漏性能好，安装便利，体形精巧，易于便携等优...
本发明涉及一种宏量制备石墨烯和二维氮化硼晶体材料的方法。本发明利用氨硼烷（NH3BH3）作为球磨助剂，利用机械球磨技术对质量比为1：0.5～5的无机层状材料与氨硼烷的固体混合物进行球磨处理，实现对无机层状材料如石墨、六方氮化硼等的高效剥离。得到的产物经洗涤、过滤除去氨硼烷，干燥后即可得到单层或多层的石墨烯和二维氮化硼晶体材料。本发明制备的石墨烯和二维氮化硼晶体材料纯度高、结构完整。本发明所提供的制...
本发明涉及一种化合物硼硫酸铷和硼硫酸铷晶体及制备方法，该化合物的化学式为Rb5BS4O16，分子量为822.40，该化合物硼硫酸铷晶体的化学式为Rb5BS4O16，分子量为822.40，属于四方晶系，空间群为P43212，晶胞参数为a=10.148(4)Å，c=16.689(14)Å，Z=4，V=1718.8(17)Å3，采用固相反应法获得硼硫酸铷化合物，再将该化合物...
一种化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，化合物氟硼酸钡及其非线性光学晶体化学式均为Ba3B6O11F2，晶体属单斜晶系，空间群P2(1)，晶胞参数为a = 6.5672(4)?，b = 8.5035(6) ?，c = 9.6637(6)?，beta = 101.351(4) deg.，V= 529.11(6)?3。分子量690.88。其粉末倍频效应达到KDP(KH2PO4)的3...
本发明提供一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法，该方法构建合理的锗硅异质结双极晶体管器件模型和网格；对构建的锗硅异质结双极晶体管器件模型的半导体器件特性进行仿真；开展锗硅异质结双极晶体管模型关键电学参数校准；在器件模型表面选取典型入射位置，开展单粒子效应物理模型仿真；分析不同位置下各电极电流和电荷收集与时间的关系，及不同位置漏斗势的变化情况，获得锗硅异质结双极晶体管对单粒子效应的敏...
本发明涉及一种用于横向NPN晶体管辐射损伤的定量分离测试方法，该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极晶体管特性，又使的器件具有MOS管的特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势。本发明使用附加栅电...
本发明涉及一种用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法，该方法涉及装置是由栅控纵向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成，利用附加栅电极半导体工艺，在常规双极NPN晶体管的CE、EB结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极常规特性，又使的器件具有MOS管特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋...
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...